[發明專利]放射線圖像檢測裝置及其制造方法無效
| 申請號: | 201210045421.7 | 申請日: | 2012-02-24 |
| 公開(公告)號: | CN102651380A | 公開(公告)日: | 2012-08-29 |
| 發明(設計)人: | 巖切直人;中津川晴康 | 申請(專利權)人: | 富士膠片株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219 | 代理人: | 陳海濤;穆德駿 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 放射線 圖像 檢測 裝置 及其 制造 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種放射線圖像檢測裝置及其制造方法。
背景技術
近年來,在實踐中使用采用FPD(平板探測器)以檢測放射線圖像并產生數字圖像數據的放射線圖像檢測裝置,并因為與常規成像板的情況相比能夠即時檢查圖像而迅速普及。提出了各種類型的這種放射線圖像檢測裝置。其實例為間接轉換型。
間接轉換型放射線圖像檢測裝置具有:由用于響應放射線照射而發射熒光的熒光材料如CsI(碘化銫)形成的閃爍體(熒光體);和以在基底上二維布置多個薄膜型光電轉換元件和開關器件的方式構造的傳感器面板。通過放射線圖像轉換面板中的閃爍體將透過攝影物體(image-taking?object)的放射線轉換成光。然后,在傳感器面板中通過光電轉換元件將源自閃爍體的熒光轉換成電信號。
另外,還提出了所謂的正面讀取(ISS:照射側采集)型放射線圖像檢測裝置,其通過改進間接轉換型的放射線圖像檢測裝置,使得放射線從傳感器面板側入射而獲得(例如,參見專利文獻1(日本特開平7-27864號公報))。根據這種放射線圖像檢測裝置,在傳感器面板附近發射的閃爍體的熒光強度增加并因此提高了敏感度。這減少了用于檢測放射線圖像所必要的曝光量,并因此減少了攝影物體的曝光量。
另外,還提出一種技術,所述技術以柱狀晶體群的形式來構造閃爍體,所述柱狀晶體通過氣相沉積等使熒光材料如CsI晶體生長成柱形而獲得(例如,參見專利文獻2(日本特開2011-017683號公報))。通過氣相沉積形成的柱狀晶體不包含雜質如粘合劑,并另外提供沿晶體生長方向引導發射的熒光的光導效應并因此抑制熒光的擴散。這提高了放射線圖像檢測裝置的敏感度并提高了圖像的銳度。
在此,在ISS型放射線圖像檢測裝置中,放射線透過傳感器面板的基底并然后入射到閃爍體中。所述傳感器面板的基底通常由玻璃構成。然而,玻璃以很多量吸收放射線。這引起入射到閃爍體中的放射線衰減的擔憂。因此,在專利文獻1中所述的放射線圖像檢測裝置中,所述傳感器面板的基底由放射線吸收能力比玻璃低的樹脂片構成。或者,即使當使用玻璃時,也采用薄至幾個100μm等的玻璃片。
發明內容
當除去傳感器面板的基底時,進一步抑制了入射到閃爍體中的放射線的衰減。然而,當剝離基底時,損失了由基底獲得的防濕效果。然后,濕氣進入構成光電轉換元件和開關器件的薄膜中并引起使光電轉換元件和開關器件劣化的擔憂。
另外,產生濕氣滲透通過構成光電轉換元件和開關器件的薄膜并然后進入到閃爍體中的可能性。構成閃爍體的CsI具有潮解性,因此吸濕引起閃爍體的特性下降。例如,在由CsI柱狀晶體群構成的閃爍體中,通過吸濕而破壞了柱狀晶體的結構。因此,損失上述光導效應并使圖像的銳度降低。
另外,在存在基底的情況下,通過濕氣進入而引起的閃爍體的潮解在外圍處開始。相反,在剝離基底的情況下,濕氣到閃爍體中的進入出現在閃爍體的整個表面。因此,產生在與傳感器面板的有效成像區域重疊的閃爍體的中心部開始之后潮解繼續進行的可能性。所述閃爍體的中心部在放射線圖像檢測中起主要作用。因此,產生如下擔憂:為了應該保持基于放射線圖像的診斷準確性,閃爍體的頻繁替換成為必要。
考慮到上述情況而設計了本發明。本發明的目的是提供一種具有令人滿意的圖像品質和令人滿意的耐久性的放射線圖像檢測裝置。
(1)根據本發明的一個方面,放射線圖像檢測裝置包含:熒光體,其包含響應放射線照射而發射熒光的熒光材料;薄膜型傳感器部,其與所述熒光體的放射線入射側鄰接設置并由所述熒光體支持,并且其檢測由所述熒光體發射的熒光;以及防濕部,其覆蓋與所述傳感器部的熒光體側相反的背面的至少一部分,從而抑制濕氣進入到傳感器部中。
(2)根據本發明的另一方面,制造(1)的放射線圖像檢測裝置的方法包括:將所述熒光體結合至傳感器面板,所述傳感器面板以使得在基底上依次設置所述防濕部和所述傳感器部的方式構造;并剝離所述基底。
(3)根據本發明的另一方面,制造(1)的放射線圖像檢測裝置的方法包括:將熒光體結合至傳感器面板,所述傳感器面板以使得在基底上設置所述傳感器部的方式構造;剝離所述基底;并在剝離基底時而暴露的傳感器部的正面上形成所述防濕部。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
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