[發明專利]改善熱傳導的LED芯片

有效

• 申請號: 201210045092.6
• 申請日: 2012-02-28
• 公開（公告）號: CN102569573A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 郭文平;黃慧詩;謝志堅;柯志杰;鄧群雄
• 申請（專利權）人: 江蘇新廣聯科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/10
• 分類號: H01L33/10;H01L33/02;H01L33/64
• 代理公司: 無錫市大為專利商標事務所 32104
• 代理人: 曹祖良

1.一種改善熱傳導的LED芯片，包括LED芯片本體（11），所述LED芯片本體（11）包括襯底（4）及位于所述襯底（4）上方的P電極（7）與N電極（6）；其特征是：所述襯底（4）對應設置P電極（7）與N電極（6）另一側表面鍍有反射層（3），所述反射層（3）上設有鍵合層（2）；襯底（4）通過鍵合層（2）與導熱基板（1）鍵合連接。

2.根據權利要求1所述的改善熱傳導的LED芯片，其特征是：所述導熱基板（1）為鉬、鋁、鎳、銅、銅鎢、氮化鋁中材料的一種或幾種。

3.根據權利要求1所述的改善熱傳導的LED芯片，其特征是：所述反射層（3）為金屬層、合金層、DBR全反射膜中的一種或幾種。

4.根據權利要求1所述的改善熱傳導的LED芯片，其特征是：所述襯底（4）的厚度為10~50μm。

5.根據權利要求1或4所述的改善熱傳導的LED芯片，其特征是：所述襯底（4）為藍寶石基板。

6.根據權利要求1所述的改善熱傳導的LED芯片，其特征是：所述襯底（4）上設有外延發光層（5），所述外延發光層（5）包括位于襯底（4）上的N型氮化鎵層、位于N型氮化鎵層上的量子阱及位于所述量子阱上的P型氮化鎵層；P電極（7）與P型氮化鎵層電連接，N電極（6）與N型氮化鎵層電連接。

7.根據權利要求1所述的改善熱傳導的LED芯片，其特征是：所述鍵合層（2）的材料包括金或錫。

8.根據權利要求3所述的改善熱傳導的LED芯片，其特征是：所述金屬層的材料包括銀或鋁。