[發明專利]金屬氧化層半導體場效應晶體管

有效

• 申請號: 201210045076.7
• 申請日: 2012-02-27
• 公開（公告）號: CN103296082A
• 公開（公告）日: 2013-09-11
• 發明（設計）人: 孫貴鵬;張森;吳孝嘉
• 申請（專利權）人: 無錫華潤上華半導體有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/43
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 杜娟娟;王忠忠

1.一種金屬氧化層半導體場效應晶體管，其包括第一導電性材料基板，形成在第一導電性材料基板上的第二導電性材料層，在第一導電性材料基板與第二導電性材料層的接面形成空乏區，其特征在于，所述第二導電性材料層上敷設有金屬層以形成肖特基接面，所述金屬層上敷設有絕緣層。

2.如權利要求1所述的金屬氧化層半導體場效應晶體管，其特征在于，所述第二導電性材料層上敷設有金屬層以形成一組肖特基接面，在該組肖特基接面中，相鄰肖特基接面由場氧隔開。

3.如權利要求1或2所述的金屬氧化層半導體場效應晶體管，其特征在于，所述金屬層由以下材料中的任一種形成：鈷，鈦，鋁，金，鉬，鈷化硅，鈦化硅，及鈀化硅。

4.根據權利要求1或2所述的金屬氧化層半導體場效應晶體管，其特征在于，所述肖特基接面保持浮接狀態。

5.如權利要求1或2所述的金屬氧化層半導體場效應晶體管，其特征在于，所述第一電性材料為P型半導體材料，所述第二導電材料為N型半導體材料。

6.如權利要求1或2所述的金屬氧化層半導體場效應晶體管，其特征在于，所述第一電性材料為N型半導體材料，所述第二導電材料為P型半導體材料。