[發明專利]一種使用陶瓷散熱的高功率LED燈具

有效

• 申請號: 201210044889.4
• 申請日: 2012-02-27
• 公開（公告）號: CN102593304A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發明（設計）人: 俞國宏
• 申請（專利權）人: 俞國宏
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38;H01L33/20;H01L33/64
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種使用陶瓷散熱的高功率LED燈具，包括陶瓷散熱基座（60），在所述陶瓷散熱基座（60）的一面固定電路板，在所述電路板連接有白光LED倒裝芯片（50），在所述白光LED倒裝芯片（50）上方固定設有一非透明燈罩；在所述陶瓷散熱基座（60）的另一面設有向外突出的散熱鰭片（61），所述散熱鰭片（61）也為陶瓷材質，其特征在于：所述白光LED倒裝芯片（13）層結構依次包括襯底（1）、緩沖層（2）、N型層（3）、N型分別限制層（4）、發光區層（5）、P型分別限制層（6）、P型層（7）、P型歐姆接觸層（8）、光穿透層（9）、二氧化硅層（10）、金屬層（11），在襯底（1）表面涂敷一層納米熒光粉層（28），其特征在于：該芯片蝕刻成梯臺結構并形成環狀N型電極和柱形P型電極，柱形P型電極被環狀N型電極包圍，所述環狀N型電極和所述柱形P型電極與PCB板連接的焊錫面處于同一水平面高度。

2.根據權利要求1所述使用陶瓷散熱的高功率LED燈具，其特征在于：N型電極主要包括N型電極光穿透層ITO薄膜（191）和N型電極金屬合金層（23），其中N型電極光穿透層ITO薄膜（191）為階梯結構，階梯結構下部與芯片的N型層（3）暴露區連接；階梯結構上部與N型電極金屬合金層（23）、金屬層（11）以及絕緣介質膜（16）連接，其中N型電極金屬合金層（23）位于階梯結構上部的上方，金屬層（11）和絕緣介質膜（16）位于階梯結構上部的下方；P型電極主要包括P型電極金屬合金層（24）和P型電極光穿透層ITO薄膜（192），P型電極光穿透層ITO薄膜（192）上方與P型電極金屬合金層（24）連接，P型電極光穿透層ITO薄膜（192）四周向下延伸至光穿透層（9）并且將下方的金屬層（11）和二氧化硅層（10）限制于其中；N型電極金屬合金層（23）與P型電極金屬合金層（24）位于同一水平面。

3.根據權利要求2所述使用陶瓷散熱的高功率LED燈具，其特征在于：所述絕緣介質膜（16）與階梯結構的中間部分和下部相平行，起到隔離N型電極光穿透層ITO薄膜（191）的作用。

4.根據權利要求1至3中任何一項所述使用陶瓷散熱的高功率LED燈具，其特征在于：在所述襯底（1）中形成一層凹凸面（12）。

5.根據權利要求1至3中任何一項所述使用陶瓷散熱的高功率LED燈具，其特征在于：所述襯底（1）與所述緩沖層（2）通過凹凸面（12）結構過渡。

6.根據權利要求1至5中任何一項所述使用陶瓷散熱的高功率LED燈具，其特征在于：所述環狀N型電極和所述P型電極通過各自的PCB板與散熱結構（26）連接。

7.根據權利要求6所述使用陶瓷散熱的高功率LED燈具，其特征在于：在所述襯底（1）上通過刻蝕形成多個附著孔（27），納米熒光粉層（28）通過所述多個附著孔（27）粘附在所述襯底（1）表面。

8.根據權利要求1至7中任何一項所述使用陶瓷散熱的高功率LED燈具，其特征在于：所述散熱鰭片（61）為圓柱狀的散熱凸塊。

9.根據權利要求1至7中任何一項所述使用陶瓷散熱的高功率LED燈具，其特征在于：所述散熱鰭片（61）為方塊狀的散熱凸塊。