[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體封裝件及其制法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210044834.3 | 申請(qǐng)日： | 2012-02-24 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN103258932A | 公開(kāi)（公告）日： | 2013-08-21 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 王云漢;盧勝利;王日富;陳賢文;楊貫榆 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 矽品精密工業(yè)股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L33/48 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L33/48;H01L33/62 |
| 代理公司： | 北京戈程知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11314 | 代理人： | 程偉;王錦陽(yáng) |
| 地址： | 中國(guó)臺(tái)*** | 國(guó)省代碼： | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 封裝 及其 制法 | ||
1.一種半導(dǎo)體封裝件，其包括：
基板，其具有第一與第二電性接觸墊；
焊錫材料，其形成于該第一與第二電性接觸墊上，且該焊錫材料的厚度為5至40μm；以及
發(fā)光二極管芯片，其具有第一與第二電極墊，該第一與第二電極墊分別對(duì)應(yīng)結(jié)合于該第一與第二電性接觸墊上的焊錫材料上，使該發(fā)光二極管芯片結(jié)合于該基板上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該基板還具有反射部與線路。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該基板包含基層、設(shè)于該基層上的絕緣層與設(shè)于該絕緣層上的金屬層，且該金屬層包含該反射部、線路、第一與第二電性接觸墊。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該反射部上方具有反射層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該反射部與反射層之間具有表面處理層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該第一及第二電性接觸墊與該焊錫材料之間具有表面處理層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該第一與第二電性接觸墊上的焊錫材料之間的距離至少為75μm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該焊錫材料的厚度為5至20μm。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該第一電極墊上具有反射層。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該第一與第二電極墊上具有結(jié)合材以結(jié)合該焊錫材料。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該結(jié)合材的材質(zhì)為金錫、金或銀。
12.一種半導(dǎo)體封裝件的制法，其包括：
提供一具有第一與第二電性接觸墊的基板；
形成焊錫材料于該第一與第二電性接觸墊上；以及
將一具有第一與第二電極墊的發(fā)光二極管芯片結(jié)合于該基板上，其結(jié)合方式為將該第一與第二電極墊分別對(duì)應(yīng)結(jié)合于該第一與第二電性接觸墊上的焊錫材料上，且該焊錫材料的厚度為5至40μm。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該基板還具有反射部與線路。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該基板包含基層、設(shè)于該基層上的絕緣層與設(shè)于該絕緣層上的金屬層，且該金屬層包含該反射部、線路、第一與第二電性接觸墊。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該反射部上方具有反射層。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該反射部與反射層之間具有表面處理層。
17.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該第一及第二電性接觸墊與該焊錫材料之間具有表面處理層。
18.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該第一與第二電性接觸墊上的焊錫材料之間的距離至少為75μm。
19.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該焊錫材料的厚度為5至20μm。
20.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該第一電極墊上具有反射層。
21.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該第一與第二電極墊上具有結(jié)合材以結(jié)合該焊錫材料。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該結(jié)合材的材質(zhì)為金錫、金或銀。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L33-00 至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射的半導(dǎo)體器件；專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或設(shè)備；這些半導(dǎo)體器件的零部件
H01L33-02 .以半導(dǎo)體為特征的
H01L33-36 .以電極為特征的
H01L33-44 .以涂層為特征的，例如鈍化層或防反射涂層
H01L33-48 .以半導(dǎo)體封裝體為特征的
H01L33-50 ..波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件
