[發明專利]背面金屬工藝中斷后晶片的返工方法

有效

• 申請號: 201210044578.8
• 申請日: 2012-02-27
• 公開（公告）號: CN102569035A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 姜劍光;徐雷軍;劉峰松;厲冰峰;陳怡駿
• 申請（專利權）人: 上海先進半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/60
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種背面金屬工藝中斷后晶片的返工方法，其特征在于，包括以下步驟：

當腔室故障導致當前背面金屬工藝中斷后，測量晶片表面當前金屬層的厚度記為第一厚度，保持腔室高真空，對所述晶片進行降溫；

腔室破真空，取出所述晶片；

所述晶片重返高真空腔室進行烘烤；

所述晶片繼續當前金屬層的背面金屬工藝。

2.根據權利要求1所述的背面金屬工藝中斷后晶片的返工方法，其特征在于：在所述晶片繼續當前金屬層的背面金屬工藝的步驟中，當所述晶片表面當前金屬層的第一厚度小于當前金屬層所需厚度時，對晶片表面沉積第二厚度的當前金屬層，所述第二厚度為所需厚度與第一厚度的差值。

3.根據權利要求2所述的背面金屬工藝中斷后晶片的返工方法，其特征在于：當所述差值小于100埃時，第二厚度為100埃。

4.根據權利要求1所述的背面金屬工藝中斷后晶片的返工方法，其特征在于：在所述晶片繼續當前金屬層的背面金屬工藝的步驟中，當所述晶片表面當前金屬層的第一厚度與晶片表面當前金屬層所需厚度相同時，對晶片表面沉積第三厚度的當前金屬層，接著沉積下層金屬層。

5.根據權利要求4所述的背面金屬工藝中斷后晶片的返工方法，其特征在于：所述第三厚度為100埃-500埃。

6.根據權利要求1所述的背面金屬工藝中斷后晶片的返工方法，其特征在于：所述腔室高真空的氣壓小于9E-7torr。

7.根據權利要求1所述的背面金屬工藝中斷后晶片的返工方法，其特征在于：在所述晶片重返高真空腔室進行烘烤的步驟中，所述烘烤的溫度大于100℃，烘烤的時間大于3分鐘。

8.根據權利要求1所述的背面金屬工藝中斷后晶片的返工方法，其特征在于：對所述晶片進行降溫的步驟中，所述晶片降溫后的溫度小于60℃。