[發明專利]二維直印式無掩膜等離子體刻蝕陣列裝置

無效

• 申請號: 201210044026.7
• 申請日: 2012-02-23
• 公開（公告）號: CN102556955A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 孟令國;邢建平;蔣然;張錫健
• 申請（專利權）人: 山東大學
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00
• 代理公司: 濟南金迪知識產權代理有限公司 37219
• 代理人: 王緒銀

1.一種二維直印式無掩膜等離子體刻蝕陣列裝置，由絕緣襯底、若干個列電極、介質層、若干個公共電極與若干個掃描電極組成，其特征在于：絕緣襯底位于該裝置的最底部，列電極設置在絕緣襯底上，列電極上覆蓋絕緣介質層，絕緣介質層上設置公共電極與掃描電極，公共電極與掃描電極相互平行，并且間隔分布，同時與列電極的排列方向互相垂直；公共電極的所有電極連接到引線電極上引出，每一根掃描電極分別引出；公共電極與掃描電極的形狀均呈S型，相鄰的公共電極與掃描電極之間形成狹縫和微腔，公共電極與掃描電極相互間隔分布形成二維微腔陣列；列電極之間的間距與兩列微腔中心之間的間距相同。

2.根據權利要求1所述的二維直印式無掩膜等離子體刻蝕陣列裝置，其特征在于：所述的微腔的尺寸從1微米至幾個毫米，狹縫的尺寸從0至幾個毫米。

3.根據權利要求1所述的二維直印式無掩膜等離子體刻蝕陣列裝置，其特征在于：所述的狹縫的尺寸小于微腔尺寸的三分之一。

4.根據權利要求1所述的二維直印式無掩膜等離子體刻蝕陣列裝置，其特征在于：所述的列電極由上方或下方單側引出，或按照奇偶數分別從上下兩側間隔引出。

5.根據權利要求1所述的二維直印式無掩膜等離子體刻蝕陣列裝置，其特征在于：所述的公共電極與掃描電極表面同時覆蓋絕緣介質層，或只在掃描電極表面覆蓋絕緣介質層。

6.根據權利要求1所述的二維直印式無掩膜等離子體刻蝕陣列裝置，其特征在于：所述的公共電極相互連接在一起引出或每一根電極分別引出。

7.根據權利要求1所述的二維直印式無掩膜等離子體刻蝕陣列裝置，其特征在于：所述的列電極、公共電極與掃描電極由金屬或透明導電材料組成。

8.根據權利要求1所述的二維直印式無掩膜等離子體刻蝕陣列裝置，其特征在于：所述的二維微腔陣列上面不覆蓋或者覆蓋玻璃或陽極板。

9.一種權利要求1所述二維直印式無掩膜等離子體刻蝕陣列裝置的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：

(1)首先選擇絕緣襯底；

(2)采用薄膜或厚膜工藝在絕緣襯底上制作相互平行的條狀列電極，列電極之間間隔相同；

(3)在列電極上采用薄膜或厚膜工藝覆蓋絕緣介質層；

(4)在絕緣介質層上覆蓋一層厚度大于微腔寬度五分之一的導電金屬層，然后采用垂直光刻工藝制作公共電極與掃描電極；公共電極與掃描電極相互平行、間隔分布，彼此絕緣；

(5)在公共電極與掃描電極表面同時覆蓋絕緣介質層，或只在掃描電極表面覆蓋絕緣介質層。