[發明專利]內容可尋址存儲器

有效

• 申請號: 201210043857.2
• 申請日: 2012-02-24
• 公開（公告）號: CN102651234A
• 公開（公告）日: 2012-08-29
• 發明（設計）人: 丸亀孝生;井口智明;杉山英行;石川瑞恵;齊藤好昭;木下敦寬;辰村光介
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: G11C15/00
• 分類號: G11C15/00;G11C15/04
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 王朝輝

1.一種內容可尋址存儲器，包括：

自旋MOSFET對，所述自旋MOSFET對包括：

第一自旋MOSFET，所述第一自旋MOSFET的磁化狀態根據存儲數據而設置；和

第二自旋MOSFET，所述第二自旋MOSFET的磁化狀態根據所述存儲數據而設置，所述第二自旋MOSFET與所述第一自旋MOSFET并聯連接；

第一布線，所述第一布線被構造為施加柵電壓，以使得所述第一自旋MOSFET和所述第二自旋MOSFET中的任何一個根據搜索數據變為導電；和

第二布線，所述第二布線被構造為將電流施加于所述第一自旋MOSFET和所述第二自旋MOSFET這二者。

2.根據權利要求1所述的內容可尋址存儲器，

其中，多個自旋MOSFET對串聯連接，并且

其中，所述第二布線將所述電流施加于所述自旋MOSFET對。

3.根據權利要求1所述的內容可尋址存儲器，還包括：

比較器，所述比較器被構造為將所述自旋MOSFET對的輸出信號與參考值進行比較，從而確定所述存儲數據和所述搜索數據彼此是否匹配。

4.根據權利要求1所述的內容可尋址存儲器，

其中，所述存儲數據包括兩個值，并且

其中，在所述自旋MOSFET對中，所述第一自旋MOSFET和所述第二自旋MOSFET之一被磁化為具有比另一個高的電阻。

5.根據權利要求1所述的內容可尋址存儲器，

其中，所述存儲數據包括三個值“1”、“0”和“無關項”，

其中，當所述存儲數據是“1”或“0”時，所述第一自旋MOSFET被設置為第一磁化狀態，而所述第二自旋MOSFET被設置為第二磁化狀態，以使得其電阻彼此不同，并且

其中，當所述存儲數據是“無關項”時，所述第一自旋MOSEFT和所述第二自旋MOSFET兩者都被共同設置為第一磁化狀態。

6.根據權利要求1所述的內容可尋址存儲器，

其中，所述第一自旋MOSFET和所述第二自旋MOSFET之一是n型自旋MOSFET，而另一個是p型自旋MOSFET。

7.根據權利要求1所述的內容可尋址存儲器，

其中，所述第一自旋MOSFET和所述第二自旋MOSFET兩者都是n型或p型，并且

其中，所述第一布線包括第一副布線和第二副布線，所述第一副布線被構造為將第一電壓施加于所述第一自旋MOSFET，所述第二副布線被構造為將與第一電壓不同的第二電壓施加于所述第二自旋MOSFET。

8.根據權利要求1所述的內容可尋址存儲器，

其中，所述第一布線還施加用于寫入所述存儲數據的寫入電壓，所述寫入電壓大于用于搜索所述搜索數據的柵電壓。

9.根據權利要求1所述的內容可尋址存儲器，還包括：

電流線，所述電流線被設置為橫跨所述自旋MOSFET對的源極或漏極。

10.根據權利要求2所述的內容可尋址存儲器，還包括：

控制電路，所述控制電路被構造為通過下述方式設置所述串聯連接的自旋MOSFET對的磁化狀態，即，

在施加柵電壓以使得使所述串聯連接的自旋MOSFET對之中的將被設置為第一磁化狀態的自旋MOSFET導電的同時，在第一方向上將不小于預定閾值的電流施加于所述串聯連接的自旋MOSFET對，并且

在施加柵電壓以使得使將被設置為與第一磁化狀態不同的第二磁化狀態的自旋MOSFET導電的同時，在與第一方向反向的第二方向上將不小于所述預定閾值的電流施加于所述串聯連接的自旋MOSFET對。