[發(fā)明專利]晶圓級(jí)垂直結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管封裝的方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210043833.7
• 申請(qǐng)日: 2012-02-23
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102569606A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-07-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 汪煉成;郭恩卿;謝海忠;伊?xí)匝?/a>;王國(guó)宏
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
• 主分類號(hào): H01L33/48
• 分類號(hào): H01L33/48
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 湯保平

1.一種晶圓級(jí)垂直結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管封裝的方法，包括：

步驟1：在絕緣的襯底上通過(guò)光刻，電子束蒸發(fā)方法制作圖形金屬電極；

步驟2：在絕緣襯底上的金屬電極的位置植金球，該金球?yàn)殚g隔設(shè)置，將已劃裂分選的芯片焊接在植金球的金屬電極的位置；

步驟3：通過(guò)打線工藝，采用金屬線將芯片和相鄰未植金球的金屬電極連接；

步驟4：在已制作好的模具上涂上脫模劑，注入按預(yù)定比例混合的熒光粉和硅膠；

步驟5：將芯片對(duì)準(zhǔn)模具模孔，壓合絕緣襯底同模具，放入烘箱一預(yù)定時(shí)間；

步驟6：分離模具與絕緣襯底，完成晶圓級(jí)垂直結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管的封裝。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓級(jí)垂直結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管封裝的方法，其中絕緣襯底的材料為硅或陶瓷。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓級(jí)垂直結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管封裝的方法，其中焊接方法為倒裝焊或鍵合。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓級(jí)垂直結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管封裝的方法，其中模具模孔的形狀為球形、橢球形或方形。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓級(jí)垂直結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管封裝的方法，其中熒光粉和硅膠混合的質(zhì)量比為1∶1至1∶300。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓級(jí)垂直結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管封裝的方法，其中烘箱烘烤的溫度為20℃-120℃，烘箱烘烤時(shí)間為5分鐘到200分鐘。