[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置以及半導(dǎo)體裝置的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210043825.2
• 申請日: 2012-02-23
• 公開（公告）號: CN102683330A
• 公開（公告）日: 2012-09-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 福田昌利;渡部博
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L25/065
• 分類號: H01L25/065;H01L23/31;H01L23/29;H01L21/98
• 代理公司: 北京市中咨律師事務(wù)所 11247
• 代理人: 劉瑞東;陳海紅

本申請享受2011年3月11日申請的日本專利申請2011-54534的優(yōu)先權(quán)，在本申請中引用該日本專利申請的全部內(nèi)容。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明的實施方式涉及半導(dǎo)體裝置以及半導(dǎo)體裝置的制造方法。

背景技術(shù)

近年，伴隨著電子設(shè)備的高機(jī)能化以及小型化的要求，半導(dǎo)體集成電路的高密度安裝技術(shù)的開發(fā)取得進(jìn)展。作為這樣的安裝技術(shù)的一例，有在半導(dǎo)體芯片上將其他半導(dǎo)體芯片以面向下的方式搭載的芯片上芯片(chip?on?chip)型的系統(tǒng)級封裝的技術(shù)。這樣的芯片上芯片構(gòu)造著眼于有效地實現(xiàn)半導(dǎo)體封裝的小型化，工作的高速化，省電化。

在芯片上芯片型的構(gòu)造中，半導(dǎo)體芯片間的連接，通常以經(jīng)由微小的凸起以倒裝芯片方式進(jìn)行。并且，為了保護(hù)連接部不受濕度等的周圍環(huán)境的影響，且確保機(jī)械強(qiáng)度，在半導(dǎo)體芯片間注入樹脂材料形成底部填充層。

但是，在現(xiàn)有技術(shù)的芯片上芯片型的半導(dǎo)體裝置中，若重復(fù)低溫-高溫的溫度周期，則上級的半導(dǎo)體芯片的側(cè)面和構(gòu)成底部填充層的底部填充樹脂之間容易產(chǎn)生剝離。而且，可能發(fā)生該剝離在底部填充樹脂內(nèi)成為龜裂并傳播，下級的半導(dǎo)體芯片的內(nèi)部布線被切斷等的缺陷。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明要解決的課題是提供在溫度周期等的施加時，能夠抑制底部填充樹脂的剝離，防止半導(dǎo)體芯片的斷線缺陷等的半導(dǎo)體裝置以及半導(dǎo)體裝置的制造方法。

實施方式的半導(dǎo)體裝置具備：布線基板，其在至少一個主面(主表面)具有布線層；半導(dǎo)體芯片疊層體，其在所述布線基板的所述主面安裝，以預(yù)定的間隔重疊配置有2個以上的半導(dǎo)體芯片，且各半導(dǎo)體芯片相互地經(jīng)由凸起被電連接；底部填充層，其包括在所述半導(dǎo)體芯片疊層體的各半導(dǎo)體芯片之間的間隙填充的樹脂；和密封層，其包括覆蓋并形成于所述半導(dǎo)體芯片疊層體的外側(cè)的模塑樹脂；

所述底部填充層包括包含胺系的固化劑的樹脂材料的固化物，且所述固化物的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)為65℃以上且100℃以下。

另一實施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法具備：準(zhǔn)備在至少一個主面具有布線層的布線基板的步驟；將2個以上的半導(dǎo)體芯片在所述布線基板的主面以預(yù)定的間隔重疊配置，將各半導(dǎo)體芯片相互地經(jīng)由凸起電連接而安裝的步驟；在所述半導(dǎo)體芯片疊層體的各半導(dǎo)體芯片間的間隙注入填充熱固化性樹脂材料的步驟；通過使所述熱固化性樹脂材料熱固化，在所述間隙形成包括底部填充樹脂的底部填充層的步驟；和以覆蓋所述半導(dǎo)體芯片疊層體的外側(cè)的方式形成包括模塑樹脂的密封層的步驟；

所述底部填充樹脂包含胺系的固化劑，具有65℃以上且100℃以下的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)。

根據(jù)上述構(gòu)成的半導(dǎo)體裝置以及半導(dǎo)體裝置的制造方法，在溫度周期等的施加時，能夠抑制底部填充樹脂的剝離，防止半導(dǎo)體芯片的斷線缺陷等。

附圖說明

圖1是表示第1實施方式的半導(dǎo)體裝置的截面圖。

圖2是表示第2實施方式的半導(dǎo)體裝置的截面圖。

具體實施方式

根據(jù)一個實施方式，提供具備如下的半導(dǎo)體裝置：布線基板，其在至少一個主面具有布線層；半導(dǎo)體芯片疊層體，其在所述布線基板的所述主面安裝，以預(yù)定的間隔重疊配置有2個以上的半導(dǎo)體芯片，且各半導(dǎo)體芯片相互地經(jīng)由凸起被電連接；底部填充層，其包括在所述半導(dǎo)體芯片疊層體的各半導(dǎo)體芯片之間的間隙填充的樹脂；和密封層，其包括覆蓋所述半導(dǎo)體芯片疊層體的外側(cè)和/或形成于所述半導(dǎo)體芯片疊層體的外側(cè)的模塑樹脂。在這樣的半導(dǎo)體裝置中，所述底部填充層包括包含胺系的固化劑的樹脂材料的固化物，且所述固化物的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)為65℃以上且100℃以下。

另外，根據(jù)一個實施方式，提供具備如下步驟的半導(dǎo)體裝置的制造方法：準(zhǔn)備在至少一個主面具有布線層的布線基板的步驟；將2個以上的半導(dǎo)體芯片在所述布線基板的主面以預(yù)定的間隔重疊配置，將各半導(dǎo)體芯片相互地經(jīng)由凸起電連接而安裝的步驟；在所述半導(dǎo)體芯片疊層體的各半導(dǎo)體芯片間的間隙注入填充熱固化性樹脂材料的步驟；通過使所述熱固化性樹脂材料熱固化，在所述間隙形成包括底部填充樹脂的底部填充層的步驟；和以覆蓋所述半導(dǎo)體芯片疊層體的外側(cè)的方式形成包括模塑樹脂的密封層的步驟。在這樣的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，所述底部填充樹脂包含胺系的固化劑，具有65℃以上且100℃以下的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)。

(第1實施方式)

圖1是表示第1實施方式的半導(dǎo)體裝置的截面圖。