[發明專利]在半導體器件中制造孔圖案的方法

無效

• 申請號: 201210043324.4
• 申請日: 2012-02-24
• 公開（公告）號: CN102760645A
• 公開（公告）日: 2012-10-31
• 發明（設計）人: 鄭鎮基;樸正熙
• 申請（專利權）人: 海力士半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H01L21/308
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363
• 代理人: 郭放;許偉群

1.一種在半導體器件中制造孔圖案的方法，包括以下步驟：

在刻蝕層之上形成第一有機層；

在所述第一有機層之上形成第一無機層圖案；

利用所述第一無機層圖案作為刻蝕阻擋層來刻蝕所述第一有機層；

在包括所述第一無機層圖案的所述第一有機層之上形成第二有機層；

在所述第二有機層之上形成第二無機層圖案，其中，所述第二無機層圖案與所述第一無機層圖案相交叉；

利用所述第二無機層圖案作為刻蝕阻擋層來刻蝕所述第一有機層和所述第二有機層；以及

利用被刻蝕的所述第一有機層和所述第二有機層作為刻蝕阻擋層來對所述刻蝕層進行刻蝕以形成孔圖案。

2.如權利要求1所述的方法，其中，所述第一有機層和所述第二有機層包括碳。

3.如權利要求1所述的方法，其中，所述第一有機層包括非晶碳。

4.如權利要求1所述的方法，其中，所述第二有機層包括旋涂碳層。

5.如權利要求1所述的方法，其中，所述第一無機層和所述第二無機層每個都包括氮氧化硅。

6.如權利要求1所述的方法，其中，所述刻蝕層包括氧化物，所述硬掩模層包括多晶硅。

7.如權利要求1所述的方法，其中，所述刻蝕層包括多晶硅，所述硬掩模層包括氧化物。

8.一種在半導體器件中制造孔圖案的方法，包括以下步驟：

通過刻蝕在刻蝕層之上的第一有機層形成第一有機層圖案；

在被刻蝕的所述第一有機層的側壁上形成第一間隔件圖案；

在所述第一有機層和所述第一間隔件圖案之上形成第二有機層；

將所述第二有機層圖案化以形成與所述第一有機層圖案相交叉的第二有機層圖案；

在被圖案化的所述第二有機層的側壁上形成第二間隔件圖案；

利用所述第一間隔件圖案和所述第二間隔件圖案作為刻蝕阻擋層來刻蝕所述第二有機層和所述第一有機層；以及

利用被刻蝕的所述第一有機層作為刻蝕阻擋層來對所述刻蝕層進行刻蝕，其中被刻蝕的所述刻蝕層形成孔圖案。

9.如權利要求8所述的方法，其中，形成所述第一有機層圖案的步驟包括以下步驟：

在所述刻蝕層之上形成第一有機層；

在所述第一有機層之上形成第一無機層；

在所述第一無機層之上形成光致抗蝕劑圖案；

利用所述光致抗蝕劑圖案作為刻蝕阻擋層來刻蝕所述第一無機層；以及

利用所述第一無機層作為刻蝕阻擋層來刻蝕所述第一有機層。

10.如權利要求8所述的方法，其中，形成所述第一間隔件圖案的步驟包括以下步驟：

在刻蝕所述第一有機層之后，沿著包括所述第一有機層的結構的臺階部分形成第一間隔件層；以及

刻蝕所述第一間隔件層以形成保留在被刻蝕的所述第一有機層的側壁上的第一間隔件圖案。

11.如權利要求8所述的方法，其中，將所述第二有機層圖案化的步驟包括以下步驟：

在所述第二有機層之上形成第二無機層；

在所述第二無機層之上形成光致抗蝕劑圖案；

利用所述光致抗蝕劑圖案作為刻蝕阻擋層來刻蝕所述第二無機層；以及

利用所述第二無機層作為刻蝕阻擋層來刻蝕所述第二有機層使得暴露出所述第一間隔件圖案。

12.如權利要求8所述的方法，其中，所述第一有機層和所述第二有機層包括碳。

13.如權利要求8所述的方法，其中，所述第一有機層包括非晶碳。

14.如權利要求8所述的方法，其中，所述第二有機層包括旋涂碳層。

15.如權利要求8所述的方法，其中，所述第一無機層和所述第二無機層包括氮氧化硅。

16.如權利要求8所述的方法，其中，所述第一間隔件圖案和所述第二間隔件圖案包括氧化物或氮化物。

17.如權利要求8所述的方法，其中，所述刻蝕層包括氧化物，所述硬掩模層包括多晶硅。

18.如權利要求8所述的方法，其中，所述刻蝕層包括多晶硅，所述硬掩模層包括氧化物。