[發(fā)明專利]在半導(dǎo)體器件中制造孔圖案的方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210043324.4
• 申請(qǐng)日: 2012-02-24
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102760645A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-10-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄭鎮(zhèn)基;樸正熙
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 海力士半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/027
• 分類號(hào): H01L21/027;H01L21/308
• 代理公司: 北京弘權(quán)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11363
• 代理人: 郭放;許偉群

1.一種在半導(dǎo)體器件中制造孔圖案的方法，包括以下步驟：

在刻蝕層之上形成第一有機(jī)層；

在所述第一有機(jī)層之上形成第一無(wú)機(jī)層圖案；

利用所述第一無(wú)機(jī)層圖案作為刻蝕阻擋層來(lái)刻蝕所述第一有機(jī)層；

在包括所述第一無(wú)機(jī)層圖案的所述第一有機(jī)層之上形成第二有機(jī)層；

在所述第二有機(jī)層之上形成第二無(wú)機(jī)層圖案，其中，所述第二無(wú)機(jī)層圖案與所述第一無(wú)機(jī)層圖案相交叉；

利用所述第二無(wú)機(jī)層圖案作為刻蝕阻擋層來(lái)刻蝕所述第一有機(jī)層和所述第二有機(jī)層；以及

利用被刻蝕的所述第一有機(jī)層和所述第二有機(jī)層作為刻蝕阻擋層來(lái)對(duì)所述刻蝕層進(jìn)行刻蝕以形成孔圖案。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一有機(jī)層和所述第二有機(jī)層包括碳。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一有機(jī)層包括非晶碳。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第二有機(jī)層包括旋涂碳層。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一無(wú)機(jī)層和所述第二無(wú)機(jī)層每個(gè)都包括氮氧化硅。

6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述刻蝕層包括氧化物，所述硬掩模層包括多晶硅。

7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述刻蝕層包括多晶硅，所述硬掩模層包括氧化物。

8.一種在半導(dǎo)體器件中制造孔圖案的方法，包括以下步驟：

通過(guò)刻蝕在刻蝕層之上的第一有機(jī)層形成第一有機(jī)層圖案；

在被刻蝕的所述第一有機(jī)層的側(cè)壁上形成第一間隔件圖案；

在所述第一有機(jī)層和所述第一間隔件圖案之上形成第二有機(jī)層；

將所述第二有機(jī)層圖案化以形成與所述第一有機(jī)層圖案相交叉的第二有機(jī)層圖案；

在被圖案化的所述第二有機(jī)層的側(cè)壁上形成第二間隔件圖案；

利用所述第一間隔件圖案和所述第二間隔件圖案作為刻蝕阻擋層來(lái)刻蝕所述第二有機(jī)層和所述第一有機(jī)層；以及

利用被刻蝕的所述第一有機(jī)層作為刻蝕阻擋層來(lái)對(duì)所述刻蝕層進(jìn)行刻蝕，其中被刻蝕的所述刻蝕層形成孔圖案。

9.如權(quán)利要求8所述的方法，其中，形成所述第一有機(jī)層圖案的步驟包括以下步驟：

在所述刻蝕層之上形成第一有機(jī)層；

在所述第一有機(jī)層之上形成第一無(wú)機(jī)層；

在所述第一無(wú)機(jī)層之上形成光致抗蝕劑圖案；

利用所述光致抗蝕劑圖案作為刻蝕阻擋層來(lái)刻蝕所述第一無(wú)機(jī)層；以及

利用所述第一無(wú)機(jī)層作為刻蝕阻擋層來(lái)刻蝕所述第一有機(jī)層。

10.如權(quán)利要求8所述的方法，其中，形成所述第一間隔件圖案的步驟包括以下步驟：

在刻蝕所述第一有機(jī)層之后，沿著包括所述第一有機(jī)層的結(jié)構(gòu)的臺(tái)階部分形成第一間隔件層；以及

刻蝕所述第一間隔件層以形成保留在被刻蝕的所述第一有機(jī)層的側(cè)壁上的第一間隔件圖案。

11.如權(quán)利要求8所述的方法，其中，將所述第二有機(jī)層圖案化的步驟包括以下步驟：

在所述第二有機(jī)層之上形成第二無(wú)機(jī)層；

在所述第二無(wú)機(jī)層之上形成光致抗蝕劑圖案；

利用所述光致抗蝕劑圖案作為刻蝕阻擋層來(lái)刻蝕所述第二無(wú)機(jī)層；以及

利用所述第二無(wú)機(jī)層作為刻蝕阻擋層來(lái)刻蝕所述第二有機(jī)層使得暴露出所述第一間隔件圖案。

12.如權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述第一有機(jī)層和所述第二有機(jī)層包括碳。

13.如權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述第一有機(jī)層包括非晶碳。

14.如權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述第二有機(jī)層包括旋涂碳層。

15.如權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述第一無(wú)機(jī)層和所述第二無(wú)機(jī)層包括氮氧化硅。

16.如權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述第一間隔件圖案和所述第二間隔件圖案包括氧化物或氮化物。

17.如權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述刻蝕層包括氧化物，所述硬掩模層包括多晶硅。

18.如權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述刻蝕層包括多晶硅，所述硬掩模層包括氧化物。