[發(fā)明專利]N型雙面電池的雙面擴(kuò)散方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210043317.4
• 申請日: 2012-02-24
• 公開（公告）號: CN102544236A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 蔡文浩
• 申請（專利權(quán)）人: 常州天合光能有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 常州市維益專利事務(wù)所 32211
• 代理人: 王凌霄

1.一種N型雙面電池的雙面擴(kuò)散方法，N型硅襯底的兩面通過兩次擴(kuò)散，在N型硅襯底的兩面分別形成n+層和p+層，其特征是：在N型硅襯底的上表面通過第一次擴(kuò)散工藝在N型硅襯底的一面形成n+層或p+層后，通過LPCVD雙面沉積SiN薄膜；

接著在已經(jīng)形成擴(kuò)散層的上表面通過PECVD的方法單面沉積SiO2薄膜；

之后利用熱磷酸對SiN、SiO2進(jìn)行薄膜選擇性刻蝕，去除下表面的SiN薄膜；接著對硅片進(jìn)行清洗后完成對下表面的擴(kuò)散。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的N型雙面電池的雙面擴(kuò)散方法，其特征是：利用LPCVD雙面沉積一層厚度范圍為20-30nm的SiN薄膜，沉積溫度為700-800℃，反應(yīng)壓強(qiáng)為0.2-0.5mtorr，時間為5-10min。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的N型雙面電池的雙面擴(kuò)散方法，其特征是：通過PECVD的方法沉積一層厚度為15-20nm的SiO2薄膜，沉積溫度為300-400℃，反應(yīng)壓強(qiáng)為0.15-0.20mbar，功率為1000-1200w。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的N型雙面電池的雙面擴(kuò)散方法，其特征是：通過將硅片浸泡于155-165℃左右的熱磷酸中5-15min，去除下表面的SiN薄膜。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的N型雙面電池的雙面擴(kuò)散方法，其特征是：N型硅襯底先進(jìn)行B擴(kuò)散時，具體步驟為：

1)首先通過氣態(tài)B源高溫擴(kuò)散工藝實現(xiàn)p+層的摻雜，并通過濕法刻蝕的方法去除表面的硼硅玻璃、背面p-n結(jié)，同時完成刻邊，至此完成了N型電池的第一次擴(kuò)散；

2)隨后利用LPCVD雙面沉積一層厚度范圍為20-30nm的SiN薄膜，沉積溫度為700-800℃，反應(yīng)壓強(qiáng)為0.2-0.5mtorr，時間為5-10min；

3)接著在擴(kuò)B面通過PECVD的方法沉積一層厚度為15-20nm的SiO2薄膜，沉積溫度為300-400℃，反應(yīng)壓強(qiáng)為0.15-0.20mbar，功率為1000-1200w；

4)之后利用熱磷酸對SiN、SiO2薄膜進(jìn)行選擇性刻蝕，將硅片浸泡于160℃的熱磷酸中5-15min，去除下表面的SiN薄膜；

5)對硅片進(jìn)行RCA清洗后完成對下表面的P擴(kuò)散，形成n+層；

6)通過HF溶液浸泡去除下表面磷硅玻璃及正表面的SiO2薄膜，HF溶液濃度為5％，浸泡時間為5-10min；

7)最后同樣采用熱磷酸浸泡的方法去除正表面的SiN薄膜，N型硅襯底的兩面分別形成n+層、p+層，完成N型雙面電池的擴(kuò)散工藝。