[發明專利]半導體元件及其制作方法

無效

• 申請號: 201210043163.9
• 申請日: 2012-02-23
• 公開（公告）號: CN103165666A
• 公開（公告）日: 2013-06-19
• 發明（設計）人: 張翼;林岳欽;張嘉華;金海光
• 申請（專利權）人: 財團法人交大思源基金會
• 主分類號: H01L29/51
• 分類號: H01L29/51;H01L21/334;H01L21/336
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 李穎

1.一種金氧半導體元件，包含：

三五族半導體層；

一氧化鋁層，形成于該三五族半導體層上；以及

一鑭系氧化物層，形成于該氧化鋁層上。

2.如權利要求1所述的金氧半導體元件，其中該三五族半導體層配置于一基底上。

3.如權利要求1所述的金氧半導體元件，更包含一金屬背電極，配置于該基底的背面。

4.如權利要求1所述的金氧半導體元件，更包含一金屬層，配置于該鑭系氧化物層上。

5.如權利要求1所述的金氧半導體元件，其中該三五族半導體層為In_xGa_1-xAs層，該鑭系氧化物層為一氧化鑭層、一氧化鐠層及一氧化鈰層其中之一。

6.如權利要求1所述的金氧半導體元件，其中該氧化鋁層的厚度大于等于1nm，該鑭系氧化物層的厚度大于等于5nm。

7.一種半導體元件，包含：

一半導體層；

一介電層，配置于該半導體層上，且與該半導體層間具有潛在一原子交互擴散作用；以及

一氧化鋁層配置于該半導體層及該介電層間，用以抑制該原子交互擴散作用。

8.如權利要求7所述的半導體元件，其中該介電層為一鑭系氧化物層。

9.一種制造半導體元件的方法，包含：

形成一氧化鋁層于半導體層與一介電層之間，以防止該半導體層與該介電層之間的原子擴散作用。

10.如權利要求9所述的制造半導體元件的方法，更包含：

提供該半導體層，其中該半導體層為具有一表面的三五族半導體層；

處理該三五族半導體層的該表面；

形成該氧化鋁層于經處理的該表面上；以及

形成該介電層于該氧化鋁上，其中該介電層為一鑭系氧化物層。