[發(fā)明專利]一種硫化鎳納米帶的制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210042963.9
• 申請日: 2012-02-24
• 公開（公告）號: CN102605473A
• 公開（公告）日: 2012-07-25
• 發(fā)明（設計）人: 董相廷;王進賢;陳銳;于文生;劉桂霞;徐佳
• 申請（專利權）人: 長春理工大學
• 主分類號: D01F9/10
• 分類號: D01F9/10;D01F11/00;D01D5/00;B82Y40/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種硫化鎳納米帶的制備方法，其特征在于，采用靜電紡絲技術與硫化技術相結合的方法，聚乙烯吡咯烷酮PVP為高分子模板劑，采用N，N-二甲基甲酰胺DMF為溶劑，硫化試劑使用二硫化碳CS₂，制備產物為硫化鎳NiS納米帶，其步驟為：

(1)配制紡絲液

稱取一定量的六水合硝酸鎳Ni(NO₃)₂·6H₂O和PVP，加入到適量的DMF溶劑中，于室溫下磁力攪拌4h，并靜置3h，即形成紡絲液，該紡絲液各組成部分的質量百分數為：硝酸鎳含量11％，PVP含量23％，溶劑DMF含量66％；

(2)制備NiO納米帶

將配制好的紡絲液加入紡絲裝置的儲液管中，進行靜電紡絲，噴頭內徑1mm，調整噴頭與水平面垂直，施加6kV的直流電壓，固化距離18cm，室溫18～28℃，相對濕度為45％～65％，得到PVP/Ni(NO₃)₂復合納米帶，將所述的PVP/Ni(NO₃)₂復合納米帶放到程序控溫爐中進行熱處理，升溫速率為1℃/min，在600℃恒溫4h，再以1℃/min的速率降溫至200℃，之后隨爐體自然冷卻至室溫，得到NiO納米帶；

(3)制備NiS納米帶

硫化試劑使用二硫化碳CS₂，將所述的NiO納米帶放入剛玉方舟中，方舟置于真空管式爐內，在室溫時通入氬氣Ar?30min，排出爐管內的空氣，以5℃/min的加熱速率升溫至700℃時通入CS₂氣體，保溫1h，再以5℃/min的降溫速率降至200℃，之后自然冷卻至室溫，得到NiS納米帶，寬度為0.8～2.4μm，厚度83.2nm，長度大于100μm。

2.根據權利要求1所述的一種硫化鎳納米帶的制備方法，其特征在于，高分子模板劑為分子量Mr＝1300000的聚乙烯吡咯烷酮。