[發(fā)明專(zhuān)利]一種真空放電等離子體參數(shù)的測(cè)量裝置及方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210042947.X | 申請(qǐng)日: | 2012-02-22 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN102610480A | 公開(kāi)(公告)日: | 2012-07-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉文正;孔飛;張德金 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 北京交通大學(xué) |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01J37/32 | 分類(lèi)號(hào): | H01J37/32 |
| 代理公司: | 北京眾合誠(chéng)成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11246 | 代理人: | 朱琨 |
| 地址: | 100044 北京市西城*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 真空 放電 等離子體 參數(shù) 測(cè)量 裝置 方法 | ||
1.一種真空放電等離子體參數(shù)的測(cè)量裝置,其特征在于,它的結(jié)構(gòu)如下:柵網(wǎng)(G)、第一探針(P1)和第二探針(P2)依次安裝在等離子體傳輸通道上,等離子體傳輸通道位于圓筒狀物體(2)的內(nèi)部,等離子體源和圓筒狀物體(2)均位于真空室中,柵網(wǎng)(G)通過(guò)屏蔽線(1)連接控制信號(hào)發(fā)生器,第一探針(P1)通過(guò)屏蔽線(1)連接DC1直流電源和C1電容的公共節(jié)點(diǎn),第二探針(P2)通過(guò)屏蔽線(1)連接DC2直流電源和C2電容的公共節(jié)點(diǎn);GND地電位分別連接R1電阻、R2電阻、R3電阻、R4電阻和數(shù)據(jù)采集卡,DC1直流電源連接R1電阻,DC2直流電源連接R3電阻,數(shù)據(jù)采集卡分別連接R3電阻、R1電阻、DC1直流電源、DC2直流電源和計(jì)算機(jī)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種真空放電等離子體參數(shù)的測(cè)量裝置,其特征在于,所述柵網(wǎng)(G)為不銹鋼金屬網(wǎng),其孔徑尺寸的范圍為0.5mm*0.5mm-5mm*5mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種真空放電等離子體參數(shù)的測(cè)量裝置,其特征在于,所述第一探針(P1)和第二探針(P2)的間距為0-50mm可調(diào)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種真空放電等離子體參數(shù)的測(cè)量裝置,其特征在于,所述圓筒狀物體(2)的材料為絕緣材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種真空放電等離子體參數(shù)的測(cè)量裝置,其特征在于,所述第一探針(P1)和第二探針(P2)能夠在等離子體傳輸通道上水平移動(dòng),便于獲得等離子體傳輸通道上不同位置的等離子體參數(shù)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種真空放電等離子體參數(shù)的測(cè)量裝置,其特征在于,所述DC1直流電源和DC2直流電源的電壓均可調(diào),調(diào)節(jié)范圍為0-100V。
7.一種真空放電等離子體參數(shù)的測(cè)量方法,其特征在于,它的步驟如下:在柵網(wǎng)(G)施加負(fù)電壓VG,利用負(fù)電壓VG的阻擋作用,實(shí)現(xiàn)對(duì)等離子體的阻擋控制,通過(guò)控制負(fù)電壓VG的大小,實(shí)現(xiàn)對(duì)通過(guò)柵網(wǎng)(G)的等離子體數(shù)量的控制;記錄等離子體通過(guò)第一探針(P1)和第二探針(P2)的時(shí)間間隔Δt,通過(guò)計(jì)算得出等離子體的傳播速度v;
利用朗繆爾探針?lè)▽?duì)電子電流進(jìn)行測(cè)定,通過(guò)第一探針(P1)和第二探針(P2)將電子電流引入至測(cè)量電路中,調(diào)節(jié)DC1直流電源的電壓,從而改變第一探針(P1)上電壓V1;調(diào)節(jié)DC2直流電源的電壓,從而改變第二探針(P2)上的電壓V2,記錄該電壓下的電子電流,利用數(shù)據(jù)采集卡采集上述數(shù)據(jù),然后將其輸入至計(jì)算機(jī)中,得到V-I曲線;通過(guò)計(jì)算得到等離子體的電子密度Ne、電子溫度Te和空間電位Vp;當(dāng)電子電流流過(guò)R1電阻和R3電阻時(shí),會(huì)引起第一探針(P1)上電壓V1和第二探針(P2)上的電壓V2的變化,這時(shí),R2電阻和C1電容構(gòu)成的RC電路以及R4電阻和C2電容構(gòu)成的RC電路將起到穩(wěn)壓作用。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種真空放電等離子體參數(shù)的測(cè)量方法,其特征在于,所述負(fù)電壓VG的大小為0至-100V可調(diào),負(fù)電壓VG對(duì)應(yīng)的脈沖寬度為0-100μs可調(diào)。
該專(zhuān)利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)。該專(zhuān)利全部權(quán)利屬于北京交通大學(xué),未經(jīng)北京交通大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專(zhuān)利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210042947.X/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專(zhuān)利網(wǎng)。





