[發明專利]在基底表面上沉積納米點陣的方法

有效

• 申請號: 201210042886.7
• 申請日: 2012-02-23
• 公開（公告）號: CN102560384A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 馬平;孫平;陳松林;蒲云體;朱基亮
• 申請（專利權）人: 成都精密光學工程研究中心;四川大學
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;B82Y30/00;B82Y40/00
• 代理公司: 成都科海專利事務有限責任公司 51202
• 代理人: 劉雙蘭

1.一種利用濺射儀在基底表面上沉積納米點陣的方法，其特征在于包括以下工藝步驟：

(1)基片的清洗

按甲苯、丙酮、酒精、去離子水的順序，分別將基片超聲振蕩清洗干凈，再將清洗干凈的基片放入濺射儀中；

(2)安裝濺射靶材

將需要濺射的靶材安裝于濺射儀中，安裝好后開始抽真空，當真空度達到2～10^-5Pa時，通入氣氛；

(3)調節好濺射參數，沉積納米點陣；

采用濺射儀，將濺射氣壓調節為0.1～6Pa，濺射功率調節為10-20W，濺射電流調節為3～6mA；將濺射時間控制在2-5秒；然后進行濺射，實現在基片表面上沉積納米顆粒，即納米點陣。

2.根據權利要求1所述的沉積納米點陣的方法，其特征在于所述的基片是導電的材料、或是絕緣的材料。

3.根據權利要求1所述的沉積納米點陣的方法，其特征在于所述的濺射靶材是金屬，或者是金屬氧化物。

4.根據權利要求1或3所述的沉積納米點陣的方法，其特征在于所述濺射靶材是金屬時，選自金屬中的Au、或Ag、或Cu、或Al其中之一。

5.根據權利要求1或3所述的沉積納米點陣的方法，其特征在于所述濺射靶材是金屬氧化物時，選自金屬氧化物中的Al₂O₃、或ZnO、或TiO₂、或CuO其中之一。

6.根據權利要求1所述的沉積納米點陣的方法，其特征在于所述濺射儀采用直流濺射儀、或射頻濺射儀、或磁控濺射儀、或離子束濺射儀進行濺射，以實現納米點陣的沉積。

7.根據權利要求1所述的沉積納米點陣的方法，其特征在于所述通入氣氛為氬氣。