[發明專利]一種異質結晶硅太陽電池鈍化層的熱處理方法

有效

• 申請號: 201210042844.3
• 申請日: 2012-02-23
• 公開（公告）號: CN102544234A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 黃海賓;王巍;李媛媛;周浪;魏秀琴;周潘兵
• 申請（專利權）人: 上海中智光纖通訊有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 上海泰能知識產權代理事務所 31233
• 代理人: 黃志達;謝文凱

1.一種異質結晶硅太陽電池鈍化層的熱處理方法，包括：

采用PECVD法或熱絲CVD法制備異質結晶硅太陽電池鈍化層薄膜，以PECVD法中產生的含氫等離子體的氫氣氣氛，對鈍化層的硅片于200～300℃處理1min～60min；或者是以熱絲CVD法產生的含氫原子的氫氣氣氛，對鈍化層的硅片于200～300℃處理1min～60min。

2.根據權利要求1所述的一種異質結晶硅太陽電池鈍化層的熱處理方法，其特征在于：所述鈍化層薄膜厚于晶硅異質結太陽電池器件結構所需厚度。

3.根據權利要求1所述的一種異質結晶硅太陽電池鈍化層的熱處理方法，其特征在于：所述以PECVD法中產生的含氫等離子體的氫氣氣氛對鈍化層的硅片處理的工藝參數為：極板上所加射頻功率密度為0.01～1.2W/cm²，氣壓為5～100Pa。

4.根據權利要求1所述的一種異質結晶硅太陽電池鈍化層的熱處理方法，其特征在于：所述以熱絲CVD法產生的含氫原子的氫氣氣氛對鈍化層的硅片處理的工藝參數為：熱絲的溫度為1500～2200℃，氣壓為0.1～50Pa。