[發明專利]一種異質結晶硅太陽電池鈍化層的制備方法

有效

• 申請號: 201210042843.9
• 申請日: 2012-02-23
• 公開（公告）號: CN102593253A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發明（設計）人: 黃海賓;李媛媛;彭錚;周浪;魏秀琴;周潘兵
• 申請（專利權）人: 上海中智光纖通訊有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 上海泰能知識產權代理事務所 31233
• 代理人: 黃志達;謝文凱

1.一種異質結晶硅太陽電池鈍化層的制備方法，包括：

采用熱絲化學氣相沉積法，以硅烷作為硅源，以氨氣作為氮源，氣壓為0.2Pa～10Pa，襯底溫度為150℃～300℃，熱絲溫度為1800℃～2200℃，襯底與熱絲的距離為3～10cm，膜厚為2～10nm，制得氫化氮化硅層；

或者，采用熱絲化學氣相沉積法，以硅烷作為硅源，以氨氣作為氮源，以氧化氮或者二氧化碳作為氧源，氣壓為0.2Pa～10Pa，襯底溫度為150℃～300℃，熱絲溫度為1800℃～2200℃，襯底與熱絲的距離為3～10cm，膜厚為2～10nm，制得氫化氮氧化硅層。

2.根據權利要求1所述的一種異質結晶硅太陽電池鈍化層的制備方法，其特征在于：所述氫化氮化硅層或氫化氮氧化硅層進行退火處理：在惰性氣體或氫氣保護氣氛下，或者在真空環境中，于200～600℃保溫1～4h。