[發明專利]采用絨面光滑圓整技術的異質結太陽電池清洗制絨方法有效
| 申請號: | 201210042842.4 | 申請日: | 2012-02-23 |
| 公開(公告)號: | CN102593268A | 公開(公告)日: | 2012-07-18 |
| 發明(設計)人: | 華夏;李媛媛;彭錚;王巍;李正平;沈文忠;彭德香;溫超 | 申請(專利權)人: | 上海中智光纖通訊有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/20 | 分類號: | H01L31/20;C30B33/10;C23F1/24;C23F1/32 |
| 代理公司: | 上海泰能知識產權代理事務所 31233 | 代理人: | 黃志達;謝文凱 |
| 地址: | 201108 上海*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 采用 光滑 圓整 技術 異質結 太陽電池 清洗 方法 | ||
1.一種采用絨面光滑圓整技術的異質結太陽電池清洗制絨方法,包括:
(1)將硅片放入體積比為1∶1∶5-1∶1∶10的氨水、雙氧水和去離子水中,在45-85℃下清洗1-10分鐘后取出,完成硅片的初步清洗,之后常溫下去離子水洗;
(2)將上述初步清洗的硅片浸入體積比為1∶2-1∶10的氫氧化鉀溶液和去離子水中,在45-85℃下腐蝕20-120秒后取出,去除鋸齒毛邊,之后常溫下去離子水洗;
(3)將上述去鋸齒后的硅片浸入體積比為3∶3∶1∶5-3∶3∶1∶10的堿性溶液、二甲基丙醇、添加劑和去離子水中,在45-85℃下腐蝕1-5分鐘后取出,蝕刻出四面方錐體結構制絨,結構高度為5-12微米,之后常溫下去離子水洗;
(4)將上述制絨后的硅片再次經步驟(1)完成清洗,放入體積比為1∶2∶3-1∶2∶4的氫氟酸、硝酸或鹽酸和去離子水中,在5-30℃下腐蝕5-30秒后取出,使得絨面光滑圓整,之后常溫下去離子水洗;
(5)將上述絨面光滑圓整后的硅片用體積比為1∶1∶5-1∶1∶10的鹽酸、雙氧水和去離子水進行酸洗,在45-85℃下清洗30-150秒后取出,之后常溫下去離子水洗;
(6)將上述經酸洗的硅片放入體積比為1∶1-1∶9的氫氟酸和去離子水中,在15-35℃下腐蝕10-50秒后取出,去除硅片表面氧化層,之后常溫下去離子水洗;
(7)最后將上述硅片從水中以1-5毫米/秒的速度提拉,于50-100℃烘干。
2.根據權利要求1所述的一種采用絨面光滑圓整技術的異質結太陽電池清洗制絨方法,其特征在于:所述步驟(1)中的氨水的質量分數為10-30%,雙氧水的質量分數為10-40%。
3.根據權利要求1所述的一種采用絨面光滑圓整技術的異質結太陽電池清洗制絨方法,其特征在于:所述步驟(2)中的氫氧化鉀溶液的質量分數為20-50%。
4.根據權利要求1所述的一種采用絨面光滑圓整技術的異質結太陽電池清洗制絨方法,其特征在于:所述步驟(3)中的堿性溶液為氫氧化鉀或氫氧化鈉溶液,質量分數為20-50%。
5.根據權利要求1所述的一種采用絨面光滑圓整技術的異質結太陽電池清洗制絨方法,其特征在于:所述步驟(3)中的添加劑為摻雙氧水的醇類添加劑。
6.根據權利要求1所述的一種采用絨面光滑圓整技術的異質結太陽電池清洗制絨方法,其特征在于:所述步驟(4)中的氫氟酸的質量分數為10-60%,硝酸或鹽酸的質量分數為10-60%。
7.根據權利要求1所述的一種采用絨面光滑圓整技術的異質結太陽電池清洗制絨方法,其特征在于:所述步驟(5)中的鹽酸的質量分數為15-35%,雙氧水的質量分數為15-35%。
8.根據權利要求1所述的一種采用絨面光滑圓整技術的異質結太陽電池清洗制絨方法,其特征在于:所述步驟(6)中的氫氟酸的質量分數為10-50%。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





