[發明專利]一種薄膜沉積設備

有效

• 申請號: 201210042641.4
• 申請日: 2012-02-23
• 公開（公告）號: CN102560375A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 刁宏偉;彭錚;李媛媛;王巍
• 申請（專利權）人: 上海中智光纖通訊有限公司
• 主分類號: C23C14/22
• 分類號: C23C14/22
• 代理公司: 上海泰能知識產權代理事務所 31233
• 代理人: 宋纓;孫健

1.一種薄膜沉積設備，包括基片預處理部分和薄膜沉積部分，其特征在于，所述基片預處理部分包括依次連通并由氣動門隔開的基片裝入腔室(1)、表面處理腔室(2)和烘干腔室(3)；所述基片裝入腔室(1)、表面處理腔室(2)和烘干腔室間(3)由傳遞裝置對裝有基片的基片掛架(10)進行傳送；所述薄膜沉積部分包括依次連通的預熱腔(6)、傳遞腔(7)和薄膜沉積腔(8)，所述預熱腔(6)與傳遞腔(7)之間設有高真空插板閥；所述烘干腔室(3)與預熱腔(6)相連通，所述烘干腔室(3)與預熱腔(6)之間設有高真空插板閥；所述預熱腔(6)內設有基片掛架(10)，所述烘干腔室(3)內設有將基片掛到預熱腔(6)內的基片掛架(10)上的機械手；所述傳遞腔(7)內設有用于將預熱腔(6)內的基片送入薄膜沉積腔的三維旋轉機械手；所述預熱腔(6)還分別與充氮裝置和抽真空裝置相連。

2.根據權利要求1所述的薄膜沉積設備，其特征在于，所述薄膜沉積部分還包括與傳遞腔(7)連通的取片腔(9)。

3.根據權利要求1所述的薄膜沉積設備，其特征在于，所述表面處理腔室(2)包括一個稀酸槽和一個處理槽。

4.根據權利要求1所述的薄膜沉積設備，其特征在于，所述烘干腔室(3)內設有熱高純氮氣風刀；所述熱高熱高純氮氣風刀與機械手之間設有隔斷門。

5.根據權利要求1所述的薄膜沉積設備，其特征在于，所述薄膜沉積腔(8)中裝有基片加熱裝置，所述基片加熱裝置上帶有用于固定基片的插槽。

6.根據權利要求1所述的薄膜沉積設備，其特征在于，所述薄膜沉積腔(8)采用等離子體方法、磁控濺射法或電感法乘積薄膜。

7.根據權利要求1所述的薄膜沉積設備，其特征在于，所述薄膜沉積腔(8)采用不銹鋼材料或鋁材料制成。

8.根據權利要求1所述的薄膜沉積設備，其特征在于，所述基片掛架(10)頂部設有T型連接件(11)；所述T型連接件(11)與所述傳遞裝置相連。