[發(fā)明專利]一種氧化銦錫透明導電氧化物薄膜的制備方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210042640.X | 申請日: | 2012-02-23 |
| 公開(公告)號: | CN102544233A | 公開(公告)日: | 2012-07-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 王革;李媛媛;彭錚;彭德香;王文靜 | 申請(專利權(quán))人: | 上海中智光纖通訊有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 上海泰能知識產(chǎn)權(quán)代理事務所 31233 | 代理人: | 黃志達;謝文凱 |
| 地址: | 201108 上海*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 氧化 透明 導電 氧化物 薄膜 制備 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于透明導電氧化物薄膜的制備領(lǐng)域,特別涉及一種氧化銦錫透明導電氧化物薄膜的制備方法。
背景技術(shù)
透明導電氧化物(TCO)薄膜具有優(yōu)異的光電性能,不但透明,而且導電,因而被廣泛地應用于各種光電器件中,包括用作場致發(fā)光(EL)器件、平面液晶顯示(LCD)、電致變色顯示器件(ECD)以及太陽電池中的電極材料。各類薄膜太陽電池以及高效薄膜硅/晶體硅異質(zhì)結(jié)太陽電池都需要有TCO薄膜作為前電極,原因是這些類型的太陽電池前表面上的摻雜層一般非常薄,具有很大的橫向電阻,為改善光電流橫向收集特性,必須在其上制備高導電性的電極,但太陽電池前表面還要求具有非常高的透光性,由此,TCO薄膜就成為這些電池前電極的優(yōu)選材料。并且,在太陽電池應用中,TCO作為透明導電電極使用的同時,也可以起到表面減反射的作用。
TCO中最具代表性的是氧化銦錫(ITO)薄膜。在ITO(In2O3∶SnO2質(zhì)量比=9∶1)薄膜中,Sn原子代替了In2O3晶格中的一些In原子,貢獻一個電子到導帶上,同時在一定的缺氧狀態(tài)下還以產(chǎn)生氧空穴,從而具有非常優(yōu)異的電導率。
目前,制備ITO薄膜最常用的方法是磁控濺射,包括直流磁控濺射、射頻磁控濺射等。直流反應磁控濺射采用金屬靶材,金屬靶材會因表層氧化而出現(xiàn)靶中毒現(xiàn)象,嚴重影響濺射穩(wěn)定性和薄膜質(zhì)量。射頻磁控濺射用的是陶瓷靶材,但電導率高的ITO薄膜中往往具有較高的載流子濃度,由于自由載流子吸收的影響,會使近紅外波段的光透過率降低,如何獲得非常高的光透射率是人們重點關(guān)注的問題,這對太陽電池的效率有很大影響。
在現(xiàn)有技術(shù)中,為了在玻璃襯底上制備出優(yōu)異的TCO薄膜,對玻璃襯底的清洗也非常復雜并且耗時。有的采用硫酸和過氧化氫的混合液加熱煮沸,有的采用丙酮等有機溶劑清洗。這些清洗方法都有一定的危險性,耗時耗能增加了成本。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是在玻璃襯底上制備ITO薄膜的近紅外波段光透射率不夠高,同時襯底清洗成本較高,提供一種氧化銦錫透明導電氧化物薄膜的制備方法,該方法抽真空的時間大大減少,降低制造成本;襯底清洗采用簡單的洗滌劑清洗再用去離子水沖凈完成,沒有采用較昂貴和危險的化學試劑,進一步降低了成本。
本發(fā)明的一種氧化銦錫透明導電氧化物薄膜的制備方法,包括:
(1)使用洗滌劑對玻璃襯底進行清洗,然后用去離子水沖凈,再用氮氣將玻璃吹干;
(2)將上述玻璃襯底裝入磁控濺射腔,然后對濺射腔體抽真空至3×10-3Pa~7×10-3Pa,將襯底加熱到150~250℃,通入氬氣作為濺射氣體,將壓強調(diào)節(jié)到0.3Pa~1.3Pa,對氧化銦錫靶材濺射6~30min,獲得透明導電氧化銦錫薄膜。
所述步驟(1)中的洗滌劑為日用洗滌劑,比如洗滌靈。
所述步驟(2)中對濺射腔體抽真空至5×10-3Pa。
所述步驟(2)中的氧化銦錫靶材的成分:質(zhì)量比為9∶1的In2O3和SnO2。
所述步驟(2)中的濺射的工藝條件為射頻源13.56MHz,濺射功率200~600W。
有益效果
(1)本發(fā)明不但在很大程度上降低薄膜電阻率的同時提高光透射率,而且采用廉價的玻璃襯底清洗技術(shù),目前制備ITO薄膜的常用磁控濺射工藝大都采用達到10-4Pa量級的真空度,本發(fā)明所采用的真空度為5×10-3Pa左右,抽真空的時間大大減少,進而省去很大一部分電力消耗,降低制造成本;
(2)本發(fā)明也不需要制作高成本的種子層;
(3)襯底清洗采用簡單的洗滌劑清洗再用去離子水沖凈完成,沒有采用較昂貴和危險的化學試劑,進一步降低了成本,具有良好的應用前景。
附圖說明
圖1為實施例1制備的ITO薄膜的透射率曲線;
圖2為實施例2制備的ITO薄膜的透射率曲線;
圖3為實施例3制備的ITO薄膜的透射率曲線;
圖4為實施例4制備的ITO薄膜的透射率曲線;
圖5為實施例5制備的ITO薄膜的透射率曲線。
具體實施方式
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





