[發明專利]TSV或TGV轉接板，3D封裝及其制備方法

有效

• 申請號: 201210042080.8
• 申請日: 2012-02-22
• 公開（公告）號: CN103296008A
• 公開（公告）日: 2013-09-11
• 發明（設計）人: 李君;萬里兮;郭學平
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L23/552
• 分類號: H01L23/552;H05K9/00;H01L21/768
• 代理公司: 北京市德權律師事務所 11302
• 代理人: 劉麗君

1.一種帶有EBG的屏蔽結構的TSV轉接板或TGV轉接板，其特征在于，包括：

TSV或TGV轉接板，以及帶有所述EBG的屏蔽結構；所述帶有EBG的屏蔽結構制備在所述TSV或TGV轉接板中，或制備在所述TSV或TGV轉接板兩側；

所述帶有EBG的屏蔽結構包括絕緣層及至少兩金屬平面；其中，至少一金屬平面蝕刻有周期性EBG結構；所述金屬平面之間設置有絕緣層。

2.一種帶有EBG的屏蔽結構的TSV轉接板或TGV轉接板，其特征在于，包括：

TSV或TGV轉接板，以及所述帶有EBG的屏蔽結構；所述帶有EBG的屏蔽結構制備在所述TSV或TGV轉接板中，或制備在所述TSV或TGV轉接板兩側；

所述帶有EBG的屏蔽結構包括至少一絕緣層及至少兩金屬平面；其中，每個所述絕緣層蝕刻有周期性EBG結構，并設置在所述兩金屬平面之間。

3.一種制備權利要求1所述的帶有EBG的屏蔽結構的TSV轉接板或TGV轉接板的方法，其特征在于，包括：

在完成TSV或TGV轉接板制作后，在轉接板上制備至少一層金屬平面，并通過刻蝕工藝刻蝕出TSV或TGV連出的開孔；

在轉接板上形成的金屬平面上制備至少一有機或無機的絕緣層；

在絕緣層上制備至少一層金屬平面，并通過刻蝕工藝在該金屬平面刻蝕出具有周期性EBG結構。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，還包括：

在所述具有周期性EBG結構的金屬平面的上再形成一層絕緣層，并在絕緣層上制作具有與TSV或TGV連通的再分布層。

5.一種制備權利要求1所述的帶有EBG的屏蔽結構的TSV轉接板或TGV轉接板的方法，其特征在于，包括：

在完成TSV或TGV轉接板制作后，在轉接板的上下兩面通過濺射或蒸發沉積方式分別沉積至少一層金屬平面，并且根據TSV或TGV的結構要求在沉積的金屬平面刻蝕出互連的孔以及具有周期性分布的EBG結構；

在轉接板雙面分別形成的金屬層上分別形成至少一有機或無機的絕緣層；

在所述絕緣層上分別制作至少一具有與TSV或TGV連通的再分布金屬平面。

6.一種制備權利要求2所述的帶有EBG的屏蔽結構的TSV轉接板或TGV轉接板的方法，其特征在于，包括：

在完成TSV或TGV轉接板制作后，在轉接板上制備至少一層金屬平面，并通過刻蝕工藝刻蝕出TSV或TGV連出的開孔；

在轉接板上形成的金屬平面上制備至少一有機或無機的絕緣層，并通過刻蝕工藝在該絕緣層刻蝕出具有周期性EBG結構；

在絕緣層上制備至少一層金屬平面。

7.一種3D封裝結構，其特征在于，包括：

至少一包含權利要求1或2所述的TSV或TGV轉接板、裸芯片及互聯基板；

所述裸芯片采用引線鍵合或倒裝焊形式與所述互聯基板連接；所述TSV轉接板或TGV轉接板與所述互聯基板連接；所述TSV轉接板或TGV轉接板固定于垂直放置的裸芯片之間。

8.根據權利要求7所述的3D封裝結構，其特征在于：

所述裸芯片利用微凸點鍵合在所述TSV或TGV轉接板上；

所述TSV或TGV轉接板與所述互聯基板通過焊錫球連接。

9.一種制備權利要求7所述3D封裝結構的方法，其特征在于，包括：

加工互聯基板；

裸芯片采用倒裝焊或引線鍵合方式鍵合在互聯基板上或采用回流焊工藝通過微凸點固定于TSV轉接板或TGV轉接板上；

采用回流焊工藝將TSV轉接板或TGV轉接板通過焊錫球鍵合在互聯基板上，并覆蓋在下層裸芯片之上；

采用回流焊工藝通過微凸點將上層裸芯片固定于TSV轉接板或TGV轉接板上。

10.根據權利要求9所述的方法，其特征在于：

所述裸芯片包括敏感芯片和干擾芯片。