[發明專利]一種納米二氧化鈦自清潔薄膜的制備方法

無效

• 申請號: 201210041710.X
• 申請日: 2012-02-23
• 公開（公告）號: CN102560325A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 王輝;王永飛
• 申請（專利權）人: 常州天合光能有限公司
• 主分類號: C23C4/12
• 分類號: C23C4/12;C23C4/10
• 代理公司: 常州市維益專利事務所 32211
• 代理人: 王凌霄

1.一種納米二氧化鈦自清潔薄膜的制備方法，其特征在于：具有如下步驟：(1)將含鈦的化合物制成粒狀粉末，其中含鈦的化合物是鈦的氧化物或鈦的無機鹽，所述的含鈦的化合物粒狀粉末的粉粒度為80～350目；(2)對待噴涂基材進行清潔預處理；(3)將配制的粒狀粉末的含鈦的化合物作為噴涂原料，由噴槍將噴涂原料輸送進入等離子弧，噴涂原料被迅速加熱至熔融或半熔融狀態，噴涂原料隨等離子流撞擊經預處理的基材表面，經過反應后在基材表面形成TiO₂基薄膜。

2.根據權利要求1所述的一種納米二氧化鈦自清潔薄膜的制備方法，其特征在于：所述的含鈦的化合物中含有鈰、釔、鍶、錫、鐵、鎢、鋅、鎘中的一種或兩種以上。

3.根據權利要求2所述的一種納米二氧化鈦自清潔薄膜的制備方法，其特征在于：所述的鈰、釔、鍶、錫、鐵、鎢、鋅、鎘各自在含鈦的化合物中的摩爾比例為0～60％。

4.根據權利要求1所述的一種納米二氧化鈦自清潔薄膜的制備方法，其特征在于：步驟(3)中經過反應后在基材表面形成TiO₂基薄膜的厚度為20～1000nm。