[發(fā)明專利]產(chǎn)生啟動(dòng)重置信號(hào)的信號(hào)產(chǎn)生裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210041623.4
• 申請(qǐng)日: 2012-02-21
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102684658A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-09-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林志政;林見(jiàn)儒;張哲維
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 瑞昱半導(dǎo)體股份有限公司
• 主分類號(hào): H03K17/22
• 分類號(hào): H03K17/22
• 代理公司: 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240
• 代理人: 余剛;吳孟秋

1.一種用以產(chǎn)生一啟動(dòng)重置信號(hào)的信號(hào)產(chǎn)生裝置，包含有：

一偏壓電路，用來(lái)產(chǎn)生一輸出偏壓，其中所述偏壓電路包含有至少一雙極結(jié)型晶體管，所述雙極結(jié)型晶體管的一基極耦接于所述雙極結(jié)型晶體管的一集極，以及所述輸出偏壓相關(guān)于所述雙極結(jié)型晶體管的一射極-基極電壓；以及

一啟動(dòng)重置信號(hào)產(chǎn)生電路，耦接于所述偏壓電路，用以復(fù)制所述輸出偏壓來(lái)產(chǎn)生一復(fù)制電壓；

其中所述啟動(dòng)重置信號(hào)依據(jù)所述復(fù)制電壓而產(chǎn)生。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的信號(hào)產(chǎn)生裝置，其中，所述啟動(dòng)重置信號(hào)產(chǎn)生電路直接輸出所述復(fù)制電壓來(lái)作為所述啟動(dòng)重置信號(hào)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的信號(hào)產(chǎn)生裝置，其中，所述啟動(dòng)重置信號(hào)產(chǎn)生電路包含有：

一復(fù)制單元，用以復(fù)制所述輸出偏壓來(lái)產(chǎn)生所述復(fù)制電壓；以及

一磁滯單元，耦接于所述復(fù)制單元，用以接收所述復(fù)制電壓并依據(jù)所述復(fù)制電壓來(lái)產(chǎn)生所述啟動(dòng)重置信號(hào)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的信號(hào)產(chǎn)生裝置，其中，所述復(fù)制單元包含有：

一負(fù)載元件；以及

一電流鏡，耦接于所述負(fù)載元件與所述偏壓電路，用以復(fù)制流經(jīng)所述偏壓電路的一電流來(lái)產(chǎn)生流經(jīng)所述負(fù)載元件的一復(fù)制電流，其中所述復(fù)制電壓依據(jù)所述復(fù)制電流與所述負(fù)載元件所產(chǎn)生。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的信號(hào)產(chǎn)生裝置，其中，所述信號(hào)產(chǎn)生裝置還包含有：

一帶隙電路，用以產(chǎn)生相關(guān)于帶隙的一參考電壓；以及

一決定單元，耦接于所述啟動(dòng)重置信號(hào)產(chǎn)生電路以及所述帶隙電路，用以依據(jù)所述參考電壓以及所述復(fù)制電壓來(lái)產(chǎn)生所述啟動(dòng)重置信號(hào)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的信號(hào)產(chǎn)生裝置，其中，所述決定單元為一與門。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的信號(hào)產(chǎn)生裝置，其中，所述信號(hào)產(chǎn)生裝置還包含有：

一分壓電路，用以依據(jù)一供給電壓的分壓來(lái)產(chǎn)生一比較電壓；以及

一比較器，用以比較所述參考電壓以及所述比較電壓來(lái)產(chǎn)生一第二參考電壓；

其中所述決定單元依據(jù)所述第二參考電壓以及所述復(fù)制電壓來(lái)產(chǎn)生所述啟動(dòng)重置信號(hào)。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的信號(hào)產(chǎn)生裝置，其中，所述帶隙電路具有一帶隙偏壓?jiǎn)卧鰩镀珘簡(jiǎn)卧c所述偏壓電路具有相同的電路結(jié)構(gòu)。

9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的信號(hào)產(chǎn)生裝置，其中，所述磁滯單元為一施密特觸發(fā)器。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的信號(hào)產(chǎn)生裝置，其中，所述偏壓電路還包含有至少一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，所述金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的一柵極耦接于所述金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的一漏極，所述金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的一源極耦接至所述雙極結(jié)型晶體管的所述射極，以及所述偏壓電路所產(chǎn)生的所述輸出偏壓包含有所述雙極結(jié)型晶體管的所述射極-基極電壓以及所述金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的一柵極-源極電壓。