[發明專利]功率放大器的檢波電路有效
| 申請號: | 201210041403.1 | 申請日: | 2012-02-22 |
| 公開(公告)號: | CN102570980A | 公開(公告)日: | 2012-07-11 |
| 發明(設計)人: | 劉軼 | 申請(專利權)人: | 劉軼 |
| 主分類號: | H03D1/18 | 分類號: | H03D1/18;H03D1/02 |
| 代理公司: | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 鄭瑋 |
| 地址: | 201210 上海*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 功率放大器 檢波 電路 | ||
技術領域
本發明涉及一種檢波電路,特別是涉及一種HBT功率放大器的檢波電路。
背景技術
檢波(detection),廣義的檢波通常稱為解調,是調制的逆過程,即從已調波提取調制信號的過程。對調幅波來說是從它的振幅變化提取調制信號的過程;對調頻波,是從它的頻率變化提取調制信號的過程,對調相波,是從它的相位變化提取調制信號的過程。
一般來說,由于在移動通訊終端中,必須根據來自基帶電路或微處理機等控制電路的發送請求電平來控制功率放大器的輸出功率率,所以一般要檢測功率放大器或天線的輸出功率,這往往需要采用檢波電路。
二極管檢波器為現有技術中最常利用的一種檢波電路,圖1為現有技術中二極管檢波器的電路示意圖。如圖1所示,該二極管檢波器包括檢波二極管VD1、高頻濾波電容C1、隔直電容C2以及負載電阻R1,工作頻率較低時,VD1使用低閾值鍺二極管實現,工作頻率較高時,VD1一般使用低閾值肖特基二極管,在GaAs?HBT功放中無法實現低閾值二極管,而從功率放大抽取的取樣信號一般又比較小,如-10~0dBm,無法使高閾值的PN結導通。
綜上所述,可知先前技術中檢波電路存在無法應用于功率放大器的問題,因此,實有必要提出改進的技術手段,來解決此一問題。
發明內容
為克服上述現有技術存在的問題,本發明的主要目的在于提供一種功率放大器的檢波電路,其不僅可以對功率放大器的輸出進行有效的檢波,提高檢波效率,改善檢波線性度。
為達上述及其它目的,本發明提供一種功率放大器的檢波電路,至少包括:
取樣電路,連接于該功率放大器,以將射頻能量取樣至檢波模塊進行檢波;以及
檢波模塊,連接于該取樣電路,以對該取樣電路取樣獲得的取樣信號進行檢波輸出。
進一步地,該取樣電容包含一取樣電容,該取樣電容連接于該功率放大器的晶體管的集電極,以對射頻能量進行取樣。
進一步地,該檢波模塊包括第一晶體管及第一電阻,該第一晶體管基極通過該第一電阻連接至該取樣電容,發射極輸出檢波結果。
進一步地,該檢波模塊通過第二電阻連接至該功率放大器的偏置電路以獲得偏置電壓,使該第一晶體管處于弱導通或將要導通狀態。
進一步地,該第二電阻為大電阻。
進一步地,該檢波電路還包括一調整電路,該調整電路連接于該檢波模塊與該取樣電路,用于調整檢波結果。
進一步地,該調整電路包括第二晶體管,該第二晶體管基極連接于該取樣電容,集電極與該第一晶體管之集電極相連。
進一步地,該第一晶體管發射極還連接一ESD保護電路。
進一步地,該ESD保護電路包括相互串聯的兩個二極管。
進一步地,該第一晶體管與該第二晶體管為三極管。
與現有技術相比,本發明一種功率放大器的檢波電路,其通過取樣電路對射頻能量進行取樣并將取樣獲得的取樣信號經過檢波模塊進行檢波,達到了檢波的目的,同時,本發明通過將檢波模塊與功率放大器的偏置電路連接獲得偏置電壓,以使檢波模塊處于弱導通或將要導通的狀態,使得很小的取樣信號也能被檢波出來,提高了檢波效率;另外,本發明還通過一調整電路對檢波結果進行調整,避免懸空引腳引入雜散干擾檢波輸出,改善了檢波線性度。
附圖說明
圖1為傳統的功率放大器的偏置電路的電路結構圖;
圖2為本發明一種功率放大器偏置電路之較佳實施例的電路示意圖;
圖3為本發明較佳實施例中檢波結果DET與取樣信號C的關系曲線圖。
具體實施方式
以下通過特定的具體實例并結合附圖說明本發明的實施方式,本領域技術人員可由本說明書所揭示的內容輕易地了解本發明的其它優點與功效。本發明亦可通過其它不同的具體實例加以施行或應用,本說明書中的各項細節亦可基于不同觀點與應用,在不背離本發明的精神下進行各種修飾與變更。
圖2為本發明一種功率放大器檢波電路之較佳實施例的電路示意圖。圖2中虛線框部分為檢波電路,如圖2所示,本發明一種功率放大器檢波電路,應用于一功率放大器之輸出端(VC2/RF?OUT),其至少包括:取樣電路201以及檢波模塊202。
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