[發明專利]石墨盤、具有上述石墨盤的反應腔室和對襯底的加熱方法

無效

• 申請號: 201210041203.6
• 申請日: 2012-02-22
• 公開（公告）號: CN103074606A
• 公開（公告）日: 2013-05-01
• 發明（設計）人: 梁秉文
• 申請（專利權）人: 光達光電設備科技（嘉興）有限公司
• 主分類號: C23C16/458
• 分類號: C23C16/458;C23C16/46
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種化學氣相沉積工藝的石墨盤，具有用于放置襯底的凹槽，其特征在于，所述凹槽所在的位置具有與之對應的支撐架，所述支撐架用于將襯底懸置，使得襯底與石墨盤不接觸。

2.如權利要求1所述的石墨盤，其特征在于，所述支撐架的形狀為環形，所述支撐架環繞所述凹槽的底部一周，所述支撐架位于襯底的下方。

3.如權利要求1所述的石墨盤，其特征在于，所述凹槽的側壁與底部構成V型。

4.如權利要求2所述的石墨盤，其特征在于，所述支撐架與其中放置的襯底的厚度之和等于所述凹槽的深度。

5.如權利要求1所述的石墨盤，其特征在于，所述支撐架懸掛于所述凹槽兩側的石墨盤上，所述支撐架的頂部固定于所述凹槽的兩側的石墨盤上，所述支撐架的底部用于放置襯底。

6.如權利要求5所述的石墨盤，其特征在于，所述支撐架的形狀為Z型或階梯型。

7.如權利要求5所述的石墨盤，其特征在于，所述支撐架的正面、襯底的正面與石墨盤的正面齊平。

8.如權利要求1所述的石墨盤，其特征在于，所述石墨盤中具有孔洞，位于襯底的邊緣對應石墨盤中，所述孔洞用于減小石墨盤對襯底的邊緣的熱輻射。

9.如權利要求1所述的石墨盤，其特征在于，所述支撐架的材質為透明材質或絕熱材質。

10.如權利要求9所述的石墨盤，其特征在于，所述透明材質為石英、藍寶石中的一種或其混合。

11.如權利要求9所述的石墨盤，其特征在于，所述絕熱材質為陶瓷、氧化鋯或兩者的混合。

12.如權利要求1所述的石墨盤，其特征在于，所述支撐架的與襯底接觸的表面上形成有多個孔隙，用于減小所述支撐架與襯底的接觸面積。

13.如權利要求12所述的石墨盤，其特征在于，所述支撐架的用于放置襯底的部分為雙環形結構或多個支撐柱。

14.如權利要求1所述的石墨盤，其特征在于，所述凹槽的深度范圍為300微米～2毫米，所述支撐架的高度范圍為290微米～1.7毫米。

15.一種化學氣相沉積工藝過程中對襯底的加熱方法，其特征在于，利用與凹槽對應的支撐架，將所述襯底懸置，使得所述襯底與石墨盤不接觸，利用石墨盤的熱輻射對所述襯底進行加熱。

16.一種化學氣相沉積設備的反應腔室，其特征在于，包括如權利要求1所述的石墨盤。