[發(fā)明專利]凸塊封裝結(jié)構(gòu)及凸塊封裝方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210041079.3 | 申請(qǐng)日: | 2012-02-22 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN102593023A | 公開(kāi)(公告)日: | 2012-07-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王之奇;王宥軍;俞國(guó)慶;王琦;喻瓊;王蔚 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 蘇州晶方半導(dǎo)體科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/603 | 分類號(hào): | H01L21/603;H01L23/488;H05K3/34;H05K1/18 |
| 代理公司: | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 駱蘇華 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 封裝 結(jié)構(gòu) 方法 | ||
1.一種凸塊封裝方法,其特征在于,包括:
提供待封裝襯底,所述待封裝襯底表面具有焊墊,焊墊表面具有凸塊;
在所述待封裝襯底表面形成覆蓋所述凸塊的異向?qū)щ娔z層;
提供PCB板,所述PCB板具有突出PCB板表面的電極,所述電極位置與凸塊位置對(duì)應(yīng);
將PCB板與待封裝襯底壓合,使得所述電極與所述凸塊位置正對(duì)并且PCB板表面與異向?qū)щ娔z層表面接觸,其中,位于所述凸塊與所述電極間的異向?qū)щ娔z層受到垂直所述封裝襯底表面的壓力。
2.如權(quán)利要求1所述凸塊封裝方法,其特征在于,所述異向?qū)щ娔z層材料為異向?qū)щ姳∧ぁ?/p>
3.如權(quán)利要求2所述凸塊封裝方法,其特征在于,所述異向?qū)щ娔z層組成為絕緣膠材中分散著導(dǎo)電粒子。
4.如權(quán)利要求3所述凸塊封裝方法,其特征在于,所述異向?qū)щ娔z層組成為為膠狀環(huán)氧樹(shù)脂中分散著導(dǎo)電粒子。
5.如權(quán)利要求1所述凸塊封裝方法,其特征在于,所述凸塊的形成步驟為:在所述焊墊表面形成光刻膠柱,所述光刻膠柱暴露出部分所述焊墊表面;在所述焊墊表面形成覆蓋所述光刻膠柱的導(dǎo)電層。
6.如權(quán)利要求1所述凸塊封裝方法,其特征在于,所述凸塊的形成步驟為:在所述焊墊兩側(cè)的待封裝襯底表面形成光刻膠柱;在所述焊墊表面形成覆蓋所述光刻膠柱表面和位于所述焊墊表面的光刻膠柱側(cè)壁的導(dǎo)電層。
7.如權(quán)利要求1所述凸塊封裝方法,其特征在于,所述凸塊的形成步驟為:在所述焊墊一側(cè)的待封裝襯底表面形成光刻膠柱;在所述焊墊表面形成覆蓋所述光刻膠柱表面和位于所述焊墊表面的光刻膠柱側(cè)壁的導(dǎo)電層。
8.如權(quán)利要求5、6或7所述凸塊封裝方法,其特征在于,所述導(dǎo)電層為鋁層、鎳層和金層的堆疊結(jié)構(gòu)。
9.如權(quán)利要求1所述凸塊封裝方法,其特征在于,所述凸塊的形成步驟為:采用物理氣相沉積工藝形成覆蓋所述焊墊和待封裝襯底的金屬膜;在所述金屬膜表面形成光刻膠圖形,所述光刻膠圖形覆蓋與所述焊墊對(duì)應(yīng)的金屬膜;以所述光刻膠圖形為掩膜,刻蝕所述金屬膜直至暴露出待封裝襯底,形成凸塊。
10.如權(quán)利要求1所述凸塊封裝方法,其特征在于,所述凸塊的形成步驟為:提供金屬板,將所述金屬板與待封裝襯底鍵合;在所述金屬板表面形成光刻膠圖形,所述光刻膠圖形覆蓋與所述焊墊對(duì)應(yīng)的金屬板;以所述光刻膠圖形為掩膜,采用濕法刻蝕或干法刻蝕所述金屬板,直至暴露出待封裝襯底,形成凸塊。
11.如權(quán)利要求9或10所述凸塊封裝方法,其特征在于,所述凸塊為單一覆層或多層堆疊結(jié)構(gòu)。
12.如權(quán)利要求1所述凸塊封裝方法,其特征在于,所述異向?qū)щ娔z層表面高于所述凸塊表面。
13.如權(quán)利要求1所述凸塊封裝方法,其特征在于,所述待封裝襯底表面具有鈍化層,且所述鈍化層覆蓋部分所述焊墊表面。
14.一種凸塊封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,包括:
待封裝襯底,所述待封裝襯底表面具有焊墊,焊墊表面具有凸塊;
位于所述待封裝襯底表面且覆蓋所述凸塊的異向?qū)щ娔z層;
與所述異向?qū)щ娔z層粘合的PCB板,所述PCB板表面具有突出PCB板表面的電極,所述電極位置與凸塊位置對(duì)應(yīng),位于所述凸塊與所述電極間的異向?qū)щ娔z層受到垂直所述封裝襯底表面的壓力。
15.如權(quán)利要求14所述的凸塊封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述異向?qū)щ娔z層材料為異向?qū)щ姳∧ぁ?/p>
16.如權(quán)利要求14所述的凸塊封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述異向?qū)щ娔z層組成為絕緣膠材中分散著導(dǎo)電粒子。
17.如權(quán)利要求14所述的凸塊封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述異向?qū)щ娔z層組成為為膠狀環(huán)氧樹(shù)脂中分散著導(dǎo)電粒子。
18.如權(quán)利要求14所述的凸塊封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述凸塊為單一覆層或多層堆疊結(jié)構(gòu)。
19.如權(quán)利要求14所述的凸塊封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述凸塊包括:位于所述焊墊表面的光刻膠柱和位于所述焊墊表面且覆蓋所述光刻膠柱的導(dǎo)電層。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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