[發明專利]源極和漏極凹槽的氮鈍化

有效

• 申請號: 201210040862.8
• 申請日: 2012-02-21
• 公開（公告）號: CN103035527A
• 公開（公告）日: 2013-04-10
• 發明（設計）人: 柯家洋;黃靖謙;邱盈翰;王琳松
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/318;H01L29/08
• 代理公司: 北京德恒律師事務所 11306
• 代理人: 陸鑫;房嶺梅

1.一種方法，包括：

提供襯底；

在所述襯底上方形成柵極結構；

去除部分所述襯底以在所述襯底中形成第一凹槽和第二凹槽，以使所述柵極結構介于所述第一凹槽和所述第二凹槽之間；

在所述襯底中形成氮鈍化層，以使所述第一凹槽和所述第二凹槽被所述襯底的氮鈍化表面限定；以及

在所述第一凹槽和所述第二凹槽的氮鈍化表面的上方形成摻雜的源極和漏極部件，所述摻雜的源極和漏極部件填充所述第一凹槽和所述第二凹槽。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述在所述半導體襯底中形成所述氮鈍化層的步驟包括實施去耦等離子體氮化工藝。

3.根據權利要求2所述的方法，其中，所述實施所述去耦等離子體氮化工藝的步驟包括將氮摻雜劑注入到所述襯底至小于或者等于約的深度。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，所述在所述襯底中形成所述氮鈍化層的步驟包括在不實施退火工藝的情況下將氮摻雜劑注入到所述襯底。

5.一種方法，包括：

在襯底上方形成柵極結構；

在所述襯底中形成鄰近所述柵極結構的凹槽，其中所述凹槽被所述襯底的表面限定；

實施去耦等離子體氮化工藝，從而沿著限定所述凹槽的所述襯底的表面形成鈍化層；以及

在形成所述鈍化層之后，在所述凹槽中形成摻雜的、外延半導體部件。

6.根據權利要求5所述的方法，其中，所述實施所述去耦等離子體氮化工藝的步驟包括使用含氮氣體，所述含氮氣體包括N2。

7.一種方法，包括：

在襯底上方形成柵極結構；

在所述襯底中蝕刻源極凹槽和漏極凹槽，以使所述柵極結構介于所述源極凹槽和所述漏極凹槽之間；

在不實施退火工藝的情況下，沿著限定所述源極凹槽和所述漏極凹槽的所述襯底的表面形成氮阻擋層；以及

在所述源極凹槽和所述漏極凹槽中形成摻雜的源極和漏極部件，所述摻雜的源極和漏極部件被設置在所述氮阻擋層上。

8.根據權利要求7所述的方法，其中，所述沿著限定所述源極凹槽和所述漏極凹槽的所述襯底的表面形成所述氮阻擋層并且不實施退火工藝的步驟包括實施去耦等離子體氮化工藝。

9.一種集成電路器件，包括：

襯底；以及

柵極結構，被設置在所述襯底上方，其中所述柵極結構介于所述襯底的源極區和漏極區之間，所述源極區和所述漏極區每一個都包括：

設置在所述襯底中的氮鈍化層；以及

設置在所述氮鈍化層上的摻雜的外延半導體部件。

10.根據權利要求9所述的集成電路器件，其中，所述摻雜的外延半導體器件包括摻雜有硼的硅鍺。