[發(fā)明專利]在半導(dǎo)體光學(xué)器件的端面上形成涂布膜的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210040857.7
• 申請(qǐng)日: 2012-02-21
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102646924A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-08-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 大西裕
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 住友電氣工業(yè)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01S5/028
• 分類號(hào): H01S5/028
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 顧紅霞;龍濤峰

1.一種在半導(dǎo)體光學(xué)器件的端面上形成涂布膜的方法，包括下述步驟：

通過(guò)在基板的主表面上形成包括活性層的多層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)來(lái)制備外延晶片；

在所述外延晶片的所述多層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上形成多個(gè)條狀電極和多個(gè)焊盤，所述條狀電極的縱向沿著第一方向延伸并且所述條狀電極沿著與所述第一方向垂直的第二方向排列，所述焊盤分別與所述條狀電極電連接；

在所述外延晶片的所述多層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上形成凸出部分；

通過(guò)沿著所述第二方向切割所述外延晶片來(lái)形成多個(gè)激光二極管線陣；

將所述激光二極管線陣排列在支撐表面上以便所述激光二極管線陣的側(cè)表面朝向所述支撐表面的法向，并且將間隔物設(shè)置在所述激光二極管線陣之間；以及

在所述激光二極管線陣的側(cè)表面上形成涂布膜，

其中，所述凸出部分的從所述基板的主表面起算的高度大于所述條狀電極的高度，并且

所述激光二極管線陣具有至少一個(gè)所述凸出部分。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在半導(dǎo)體光學(xué)器件的端面上形成涂布膜的方法，其中，

所述凸出部分與所述焊盤同時(shí)形成，并且

所述凸出部分和所述焊盤由同一種金屬材料構(gòu)成。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在半導(dǎo)體光學(xué)器件的端面上形成涂布膜的方法，其中，

制備所述外延晶片的步驟包括在所述多層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上形成絕緣膜，并且

通過(guò)蝕刻所述多層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上的所述絕緣膜的一部分來(lái)形成所述凸出部分。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在半導(dǎo)體光學(xué)器件的端面上形成涂布膜的方法，其中，

所述凸出部分的從所述基板的主表面起算的高度小于或等于所述焊盤的從所述主表面起算的高度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在半導(dǎo)體光學(xué)器件的端面上形成涂布膜的方法，其中，

所述凸出部分與所述激光二極管線陣的側(cè)表面相距的距離小于所述激光二極管線陣的側(cè)表面和所述焊盤之間的距離。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在半導(dǎo)體光學(xué)器件的端面上形成涂布膜的方法，還包括：

在所述基板的背面中形成沿著所述第二方向延伸的凹槽，

其中，形成所述激光二極管線陣的步驟包括沿著所述凹槽將所述外延晶片切割成小塊。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的在半導(dǎo)體光學(xué)器件的端面上形成涂布膜的方法，其中，

所述凹槽的深度為30μm或更小。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的在半導(dǎo)體光學(xué)器件的端面上形成涂布膜的方法，其中，

所述凸出部分與所述激光二極管線陣的側(cè)表面相距的距離大致等于所述激光二極管線陣的側(cè)表面和所述凹槽的側(cè)壁之間的距離。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在半導(dǎo)體光學(xué)器件的端面上形成涂布膜的方法，其中，

所述激光二極管線陣在與所述第二方向垂直的方向上的寬度小于或等于200μm。