[發明專利]粒子捕捉單元、該粒子捕捉單元的制造方法及基板處理裝置有效
| 申請號: | 201210040852.4 | 申請日: | 2012-02-21 |
| 公開(公告)號: | CN102693908A | 公開(公告)日: | 2012-09-26 |
| 發明(設計)人: | 守屋剛;豐泉俊介;高廣克之 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/3065 | 分類號: | H01L21/3065;F04D19/04 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 粒子 捕捉 單元 制造 方法 處理 裝置 | ||
技術領域
本發明涉及對在基板處理裝置內移動的不需要的粒子進行捕捉的粒子捕捉單元、該粒子捕捉單元的制造方法及基板處理裝置。
背景技術
通常,對半導體裝置用的晶片或用于制造液晶等FPD面板、太陽電池等的玻璃基板等的基板實施規定的處理的基板處理裝置,具備容納基板并實施規定的處理的處理室(以下稱作“腔室(chamber)”)。在該腔室內浮游著由腔室內壁的沉積物或在規定的處理中產生的反應生成物引起的微粒。若這些浮游的微粒附著于晶片表面,則會在由該晶片制造的產品中,例如在半導體裝置中產生布線短路,從而降低半導體裝置的成品率。因此,在由基板處理裝置的排氣系統進行的腔室內的氣體排出的同時將腔室內的微粒從腔室內除去。
基板處理裝置的排氣系統具有:經由排氣板而與腔室連通的排氣室(連通器(manifold))、作為能夠實現高真空的排氣泵的渦輪分子泵(Turbo?Molecular?Pump)(以下稱作“TMP”)、以及將該TMP與連通器連通的連通管。TMP具有沿排氣流配置的旋轉軸、和從該旋轉軸以直角突出的多個葉片狀的旋轉翼,通過使旋轉翼以旋轉軸為中心高速旋轉從而以高速將吸入的氣體排出。排氣系統通過使TMP動作而將腔室內的微粒與腔室內的氣體一起排出。
然而,有時附著于TMP的旋轉翼的沉積物會剝離,或者在TMP吸入的氣體中所含的微粒、以及經由連通管流入TMP的連通器內的殘渣物會與TMP的旋轉翼碰撞而反彈。由于從旋轉翼剝離的沉積物或與旋轉翼碰撞而反彈的微粒均被高速旋轉的旋轉翼賦予巨大的動能,因此會在連通管內逆流而進入到腔室內。
針對上述微粒的逆流,本發明人等開發了將從TMP反彈過來的微粒朝向該TMP反射的反射裝置、以及捕捉該微粒的捕捉機構(例如參照專利文獻1)。該專利文獻1所涉及的反射裝置以及捕捉機構能夠將反彈過來的微粒的絕大部分再次向TMP反射、或者進行捕捉。
專利文獻1:日本特開2007-180467號公報
然而,由于上述專利文獻1所涉及的反射裝置被配置成將排氣管內遮蔽,因此會使排氣流路的傳導率降低因而降低排氣效率。另外,雖然專利文獻1所涉及的捕捉機構被沿排氣管的內表面配置,但是為了捕捉進入到該捕捉機構的微粒,為了使進入的微粒與捕捉機構的構成部件反復碰撞而喪失動能因此所需的規定的厚度非常必要,其結果,由于捕捉機構向排氣管內突出,因此依然會使排氣流路的傳導率降低而降低排氣效率。若排氣效率降低,則產生腔室的抽真空需要時間、且基板處理裝置的運轉率降低等問題。
并且,雖然在上述專利文獻1中公開了作為捕捉機構的構成材料而使用由纖維構成的綿狀體的情況,但是還會產生如下問題:纖維易從綿狀體脫落,當該脫落的纖維的一部分向TMP落下時有可能使該TMP的旋轉翼等損傷。
發明內容
本發明的目的在于提供一種粒子捕捉單元、該粒子捕捉單元的制造方法以及基板處理裝置,該粒子捕捉單元能夠防止排氣效率降低并且能夠防止排氣泵的旋轉翼等損傷。
為了實現上述目的,技術方案1所記載的粒子捕捉單元是暴露于粒子飛來的空間的粒子捕捉單元,其特征在于,至少具備由多個第一纖維狀物構成的第一層和由多個第二纖維狀物構成的第二層,所述第一纖維狀物的粗細小于所述第二纖維狀物的粗細,所述第一層中的所述第一纖維狀物的配置密度高于所述第二層中的所述第二纖維狀物的配置密度,所述第二層介于所述第一層與所述粒子飛來的空間之間,通過燒結使所述第一層與所述第二層固化而互相接合。
技術方案2所記載的粒子捕捉單元是在技術方案1所記載的粒子捕捉單元的基礎上,其特征在于,所述第一纖維狀物的粗細為直徑0.2μm至3μm,所述第二纖維狀物的粗細為直徑3μm至30μm。
技術方案3所記載的粒子捕捉單元是在技術方案1或2所記載的粒子捕捉單元的基礎上,其特征在于,還具備由第三纖維狀物構成的第三層,該第三纖維狀物的粗細大于所述第二纖維狀物的粗細,該第三層被配置成經由所述第一層而與所述第二層相對置。
技術方案4所記載的粒子捕捉單元是在技術方案3所記載的粒子捕捉單元的基礎上,其特征在于,所述第三纖維狀物的粗細為直徑30μm至400μm。
技術方案5所記載的粒子捕捉單元是在技術方案3或4所記載的粒子捕捉單元的基礎上,其特征在于,還具備另外的所述第三層,該另外的所述第三層介于所述第二層與所述粒子飛來的空間之間。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





