[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210040502.8
• 申請日: 2012-02-22
• 公開（公告）號: CN103296080A
• 公開（公告）日: 2013-09-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 朱建文;陳永初;吳錫垣
• 申請（專利權(quán)）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 周國城

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：

一襯底；

一第一源/漏極區(qū)，形成于該襯底中；

一第二源/漏極區(qū)，形成于該襯底中；

一第一疊層結(jié)構(gòu)，位于該第一源/漏極區(qū)與該第二源/漏極區(qū)之間的該襯底上，其中該第一疊層結(jié)構(gòu)包括一第一介電層與一第一導(dǎo)電層，該第一導(dǎo)電層位于該第一介電層上；以及

一第二疊層結(jié)構(gòu)，位于該第一疊層結(jié)構(gòu)上，其中該第二疊層結(jié)構(gòu)包括一第二介電層與一第二導(dǎo)電層，該第二導(dǎo)電層位于該第二介電層上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該第一介電層的厚度小于該第二介電層的厚度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，更包括多個(gè)互相分開的絕緣結(jié)構(gòu)，位于該第一源/漏極區(qū)與該第二源/漏極區(qū)之間的該襯底上。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該第二介電層的厚度小于該絕緣結(jié)構(gòu)的厚度。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該第一疊層結(jié)構(gòu)具有多個(gè)互相分開的凸出部，對應(yīng)地延伸至該多個(gè)絕緣結(jié)構(gòu)上。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該第二疊層結(jié)構(gòu)具有多個(gè)互相分開的凸出部，對應(yīng)地延伸至該多個(gè)絕緣結(jié)構(gòu)上。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該第二疊層結(jié)構(gòu)的該凸出部是延伸在該絕緣結(jié)構(gòu)與該第一疊層結(jié)構(gòu)之間的該襯底上。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該第一疊層結(jié)構(gòu)具有多個(gè)互相分開的凸出部，延伸超過該第二疊層結(jié)構(gòu)。

9.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：

形成一第一源/漏極區(qū)于一襯底中；

形成一第二源/漏極區(qū)于該襯底中；

形成一第一介電層于該第一源/漏極區(qū)與該第二源/漏極區(qū)之間的該襯底上，并形成一第一導(dǎo)電層于該第一介電層上，以形成一第一疊層結(jié)構(gòu)；以及

形成一第二介電層于該第一疊層結(jié)構(gòu)的該第一導(dǎo)電層上，并形成一第二導(dǎo)電層于該第二介電層上，以形成一第二疊層結(jié)構(gòu)。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，更包括形成多個(gè)互相分開的絕緣結(jié)構(gòu)于該第一源/漏極區(qū)與該第二源/漏極區(qū)之間的該襯底上，其中該第一疊層結(jié)構(gòu)或該第二疊層結(jié)構(gòu)具有多個(gè)互相分開的凸出部，對應(yīng)地延伸至該多個(gè)絕緣結(jié)構(gòu)上。