[發(fā)明專利]一種多晶硅雙極晶體管及其制作方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210039847.1
• 申請日: 2012-02-20
• 公開（公告）號(hào): CN102544078A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 姜一波;杜寰
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院微電子研究所
• 主分類號(hào): H01L29/73
• 分類號(hào): H01L29/73;H01L21/331
• 代理公司: 北京市德權(quán)律師事務(wù)所 11302
• 代理人: 劉麗君

1.一種多晶硅雙極晶體管，其特征在于：包括半導(dǎo)體襯底、設(shè)置在所述半導(dǎo)體襯底上的氧化層、設(shè)置在所述氧化層上的多晶硅層以及設(shè)置在所述多晶硅層上的第一金屬引出和第二金屬引出；

所述多晶硅層為注入了P型雜質(zhì)和N型雜質(zhì)的NPN或PNP結(jié)構(gòu)，形成NPN或PNP多晶硅雙極晶體管；

當(dāng)所述多晶硅雙極晶體管為NPN多晶硅雙極晶體管時(shí)，所述第一金屬引出連接所述NPN結(jié)構(gòu)之一端N注入?yún)^(qū)形成陽極，所述第二金屬引出連接所述NPN結(jié)構(gòu)之P注入?yún)^(qū)以及另一端N注入?yún)^(qū)形成陰極；

當(dāng)所述多晶硅雙極晶體管為PNP多晶硅雙極晶體管時(shí)，所述第一金屬引出連接所述PNP結(jié)構(gòu)之一端P注入?yún)^(qū)形成陽極，所述第二金屬引出連接所述PNP結(jié)構(gòu)之N注入?yún)^(qū)以及另一端P注入?yún)^(qū)形成陰極。

2.如權(quán)利要求1所述的多晶硅雙極晶體管，其特征在于：所述半導(dǎo)體襯底為硅、碳化硅、砷化鎵、氮化鎵中的任意一種材料所制成。

3.如權(quán)利要求1所述的多晶硅雙極晶體管，其特征在于：所述氧化層為柵氧、場氧、STI層中的任意一種。

4.如權(quán)利要求1所述的多晶硅雙極晶體管，其特征在于：所述P型雜質(zhì)和N型雜質(zhì)注入的元素為硼、磷、砷中的任意一種。

5.如權(quán)利要求1所述的多晶硅雙極晶體管，其特征在于：所述第一金屬引出為鋁、銅及其化合物中的任意一種，所述第二金屬引出為鋁、銅及其化合物中的任意一種。

6.一種多晶硅雙極晶體管的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)提供半導(dǎo)體襯底，并在所述半導(dǎo)體襯底上形成氧化層；

(2)在所述氧化層上形成多晶硅層，對(duì)所述多晶硅層注入P型雜質(zhì)和N型雜質(zhì)，經(jīng)退火形成NPN或PNP結(jié)構(gòu)；

(3)當(dāng)所述多晶硅層為NPN結(jié)構(gòu)時(shí)，通過第一金屬引出連接所述NPN結(jié)構(gòu)之一端N注入?yún)^(qū)形成陽極，通過第二金屬引出連接所述NPN結(jié)構(gòu)之P注入?yún)^(qū)以及另一端N注入?yún)^(qū)形成陰極，形成NPN多晶硅雙極晶體管；

當(dāng)所述多晶硅層為PNP結(jié)構(gòu)時(shí)，通過第一金屬引出連接所述PNP結(jié)構(gòu)之一端P注入?yún)^(qū)形成陽極，通過第二金屬引出連接所述PNP結(jié)構(gòu)之N注入?yún)^(qū)以及另一端P注入?yún)^(qū)形成陰極，形成PNP多晶硅雙極晶體管。

7.如權(quán)利要求6所述的多晶硅雙極晶體管，其特征在于，步驟(1)中所述半導(dǎo)體襯底為硅、碳化硅、砷化鎵、氮化鎵中的任意一種材料所制成。

8.如權(quán)利要求6所述的多晶硅雙極晶體管，其特征在于，步驟(1)中所述氧化層為柵氧、場氧、STI層中的任意一種。

9.如權(quán)利要求6所述的多晶硅雙極晶體管，其特征在于，步驟(2)中所述P型雜質(zhì)和N型雜質(zhì)注入的元素為硼、磷、砷中的任意一種。

10.如權(quán)利要求6所述的多晶硅雙極晶體管，其特征在于，步驟(2)中所述退火為高溫快速退火、低溫爐管退火中任意一種。

11.如權(quán)利要求6所述的多晶硅雙極晶體管，其特征在于，步驟(3)中所述第一金屬引出為鋁、銅及其化合物中的任意一種，所述第二金屬引出為鋁、銅及其化合物中的任意一種。