[發明專利]一種具有P+單一多晶架構的非揮發性記憶體及其制備方法

有效

• 申請號: 201210039598.6
• 申請日: 2012-02-21
• 公開（公告）號: CN102544122A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 雷兵;方英嬌;陳號年
• 申請（專利權）人: 無錫來燕微電子有限公司
• 主分類號: H01L29/94
• 分類號: H01L29/94;H01L29/423;H01L27/115;H01L21/8247
• 代理公司: 無錫市大為專利商標事務所 32104
• 代理人: 曹祖良

1.一種具有P+單一多晶架構的非揮發性記憶體，包括半導體基板；其特征是：所述半導體基板內的上部設有若干用于存儲的記憶體細胞（200），所述記憶體細胞（200）包括PMOS訪問晶體管（210）、控制電容（220）及編程電容（230）；所述PMOS訪問晶體管（210）、控制電容（220）及編程電容（230）間通過半導體基板內的領域介質區域（214）相互隔離；半導體基板的表面上淀積有柵介質層（215），所述柵介質層（215）上設有浮柵電極（216），所述浮柵電極（216）覆蓋并貫穿PMOS訪問晶體管（210）、控制電容（220）及編程電容（230）上方對應的柵介質層（215），浮柵電極（216）的兩側淀積有側面保護層（217），側面保護層（217）覆蓋浮柵電極（216）的側壁；PMOS訪問晶體管（210）包括第一N型區域（202）及位于所述第一N型區域（202）內上部的P型源極區（213）與P型漏極區（221），控制電容（220）包括第二P型區域（205）及位于所述第二P型區域（205）內上部的第一P型摻雜區域（206）與第二P型摻雜區域（209）；編程電容（230）包括第三P型區域（231）及位于所述第三P型區域（231）內上部的第五P型摻雜區域（224）與第六P型摻雜區域（227）；第一P型摻雜區域（206）、第二P型摻雜區域（209）、第五P型摻雜區域（224）、第六P型摻雜區域（227）、P型源極區（213）及P型漏極區（221）與上方的浮柵電極（216）相對應，并分別與相應的柵介質層（215）及領域介質區域（214）相接觸。

2.根據權利要求1所述的具有P+單一多晶架構的非揮發性記憶體，其特征是：所述半導體基板的材料包括硅，半導體基板為P導電類型基板（201）或N導電類型基板（239）。

3.根據權利要求2所述的具有P+單一多晶架構的非揮發性記憶體，其特征是：所述半導體基板為P導電類型基板（201）時，所述PMOS訪問晶體管（210）、控制電容（220）及編程電容（230）通過P型導電類型基板（201）內的第二N型區域（203）及第二N型區域（203）上方的第三N型區域（204）與P型導電類型基板（201）相隔離。

4.根據權利要求1所述的具有P+單一多晶架構的非揮發性記憶體，其特征是：所述第一P型摻雜區域（206）包括第一P型重摻雜區域（207）及與側面保護層（217）相對應的第一P型輕摻雜區域（208），第一P型重摻雜區域（207）從第一P型輕摻雜區域（208）的端部延伸后與領域介質區域（214）相接觸。

5.根據權利要求1所述的具有P+單一多晶架構的非揮發性記憶體，其特征是：所述第二P型摻雜區域（209）包括第二P型重摻雜區域（212）及于側面保護層（217）相對應的第二P型輕摻雜區域（211），第二P型重摻雜區域（212）從第二P型輕摻雜區域（211）的端部延伸后與領域介質區域（214）相接觸。

6.根據權利要求1所述的具有P+單一多晶架構的非揮發性記憶體，其特征是：所述P型源極區（213）包括第三P型重摻雜區域（219）及與側面保護層（217）相對應的第三P型輕摻雜區域（218），第三P型重摻雜區域（219）從第三P型輕摻雜區域（218）的端部延伸后領域介質區域（214）相接觸。

7.根據權利要求1所述的具有P+單一多晶架構的非揮發性記憶體，其特征是：所述P型漏極區（221）包括第四P型重摻雜區域（213）及與側面保護層（217）相對應的第四P型輕摻雜區域（222），第四P型重摻雜區域（213）從第四P型輕摻雜區域（222）的端部延伸后與領域介質區域（214）相接觸。

8.根據權利要求1所述的具有P+單一多晶架構的非揮發性記憶體，其特征是：所述第五P型摻雜區域（224）包括第五P型重摻雜區域（225）及與側面保護層（217）相對應的第五P型輕摻雜區域（226），第五P型重摻雜區域（225）從第五P型輕摻雜區域（226）的端部延伸后與領域介質區域（214）相接觸。

9.根據權利要求1所述的具有P+單一多晶架構的非揮發性記憶體，其特征是：所述第六P型摻雜區域（227）包括第六P型重摻雜區域（229）及與側面保護層（217）相對應的第六P型輕摻雜區域（228），第六P型重摻雜區域（229）從第六P型輕摻雜區域（228）的端部延伸后與領域介質區域（214）相接觸。