[發明專利]60伏高壓LDPMOS結構及其制造方法

無效

• 申請號: 201210039301.6
• 申請日: 2012-02-20
• 公開（公告）號: CN102569045A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 劉建華;吳曉麗
• 申請（專利權）人: 上海先進半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/265
• 分類號: H01L21/265;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/78
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 陳亮

1.一種60伏高壓LDPMOS結構(200)的制造方法，包括步驟：

提供P型硅襯底，其上形成有N型埋層(202)，在所述P型硅襯底上熱生長P型外延層(203)，作為所述高壓LDPMOS結構(200)的漏端漂移區；

在所述P型外延層(203)中高能注入N型雜質，并經高溫擴散形成低濃度的高壓N阱(204)，所述高壓N阱(204)與所述N型埋層(202)相接并共同形成所述高壓LDPMOS結構(200)的高壓隔離區(209)；

依照標準CMOS工藝，在所述P型外延層(203)上進行局部氧化工藝，制作器件/電路部分的多個場氧化隔離(206)；

通過離子注入法在所述P型外延層(203)中摻雜形成低壓N阱(205)，所述低壓N阱(205)的左側部分位于一場氧化隔離(206)的下方并與所述高壓N阱(204)部分重疊，作為所述高壓LDPMOS結構(200)的溝道區；

在所述P型外延層(203)上形成所述高壓LDPMOS結構(200)的柵極氧化層(207)，所述柵極氧化層(207)部分覆蓋所述低壓N阱(205)區域；

在所述柵極氧化層(207)上熱生長多晶硅柵并形成多晶柵極(208)，同時在所述高壓LDPMOS結構(200)的漏區形成多晶柵場板；

依照標準CMOS工藝，以所述多晶柵極(208)為對準層，在所述高壓LDPMOS結構(200)的源區以及漏區依次圖形曝光，分別形成源極(211)、漏極(212)、襯底引出端(213、214)和N阱引出端(215)。

2.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成所述源極(211)、漏極(212)、襯底引出端(213、214)和N阱引出端(215)之后還包括步驟：

對所述高壓LDPMOS結構(200)進行快速熱處理過程，降低接觸電阻。

3.根據權利要求2所述的制造方法，其特征在于，對所述高壓LDPMOS結構(200)進行快速熱處理過程之后還包括步驟：

對所述高壓LDPMOS結構(200)進行接觸工藝并形成后段工藝。

4.根據權利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述接觸工藝包括在所述源極(211)、漏極(212)、襯底引出端(213、214)和N阱引出端(215)上形成鈦硅化物或者鈷硅化物接觸。

5.根據權利要求1至4中任一項所述的制造方法，其特征在于，所述N型雜質包括磷。

6.一種60伏高壓LDPMOS結構(200)，包括：

N型埋層(202)，位于P型硅襯底中，所述P型硅襯底上形成有P型外延層(203)，作為所述高壓LDPMOS結構(200)的漏端漂移區；

低濃度的高壓N阱(204)，位于所述N型埋層(202)之上、所述P型外延層(203)之中，所述高壓N阱(204)與所述N型埋層(202)相接并共同形成所述高壓LDPMOS結構(200)的高壓隔離區(209)；

多個場氧化隔離(206)，分布于所述P型外延層(203)的表面，作為器件/電路部分的隔離；

低壓N阱(205)，位于所述P型外延層(203)之中，所述低壓N阱(205)的左側部分位于一場氧化隔離(206)的下方并與所述高壓N阱(204)部分重疊，作為所述高壓LDPMOS結構(200)的溝道區；

柵極氧化層(207)，位于所述P型外延層(203)上，所述柵極氧化層(207)部分覆蓋所述低壓N阱(205)區域；

多晶柵極(209)，位于所述柵極氧化層(207)上，同時在所述高壓LDPMOS結構(200)的漏區具有多晶柵場板；

源極(211)、漏極(212)、襯底引出端(213、214)和N阱引出端(215)，分布在所述P型外延層(203)的表面，所述源極(211)位于所述低壓N阱(205)中，所述漏極(212)位于所述高壓隔離區(209)中，所述N阱引出端(215)位于所述高壓N阱(204)中，所述襯底引出端(213、214)位于所述高壓隔離區(209)的外側。

7.根據權利要求6所述的高壓LDPMOS結構(200)，其特征在于，所述源極(211)、漏極(212)、襯底引出端(213、214)和N阱引出端(215)上包括鈦硅化物或者鈷硅化物接觸。