[發(fā)明專(zhuān)利]光學(xué)結(jié)構(gòu)體以及發(fā)光裝置無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210039178.8 | 申請(qǐng)日: | 2012-02-20 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103258942A | 公開(kāi)(公告)日: | 2013-08-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張嘉雄;蘇彥瑜;吳法震 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 聯(lián)勝(中國(guó))科技有限公司;勝華科技股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L33/50 | 分類(lèi)號(hào): | H01L33/50 |
| 代理公司: | 深圳新創(chuàng)友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44223 | 代理人: | 江耀純 |
| 地址: | 523808 廣東省東莞*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 光學(xué) 結(jié)構(gòu) 以及 發(fā)光 裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明是涉及一種光學(xué)結(jié)構(gòu)體以及發(fā)光裝置,特別涉及一種利用發(fā)光組件激發(fā)光學(xué)結(jié)構(gòu)體的納米微細(xì)結(jié)構(gòu)中的量子點(diǎn)單元來(lái)產(chǎn)生不同顏色光的發(fā)光裝置。
背景技術(shù)
發(fā)光二極管由于具有耗電量低、元件壽命長(zhǎng)、低驅(qū)動(dòng)電壓以及反應(yīng)速度快等優(yōu)點(diǎn),目前已廣泛地被應(yīng)用交通號(hào)志、裝飾燈具以及各式電子產(chǎn)品中。
在一般的發(fā)光裝置中,通過(guò)可產(chǎn)生不同顏色光的發(fā)光二極管搭配進(jìn)行混色可得到所需的顏色光。然而,利用可產(chǎn)生不同顏色光的發(fā)光二極管搭配進(jìn)行混色的方式因?yàn)樾杈筒煌陌l(fā)光二極管分別進(jìn)行調(diào)整,故在技術(shù)上產(chǎn)生許多困擾。因此,近來(lái)有許多在發(fā)光裝置中利用單一發(fā)光二極管產(chǎn)生的光線激發(fā)螢光層或量子點(diǎn)的方式來(lái)產(chǎn)生不同的顏色光的技術(shù)以及應(yīng)用產(chǎn)生。在上述的技術(shù)中,有直接將量子點(diǎn)填充到發(fā)光二極管或有機(jī)發(fā)光二極管的填充材料中用以簡(jiǎn)化結(jié)構(gòu)的做法,然而此方式的出光效率不佳,且量子點(diǎn)的激發(fā)不夠充分,雖然上述缺失可進(jìn)一步搭配一般常用的出光結(jié)構(gòu)(如粗糙面、散射粒子)來(lái)改善出光效率,但此舉僅能就有被激發(fā)的部分量子點(diǎn)所產(chǎn)生的光進(jìn)行提高,故出光效率的提高仍舊有限。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的在提供一種光學(xué)結(jié)構(gòu)體以及發(fā)光裝置,利用將量子點(diǎn)設(shè)置在光學(xué)結(jié)構(gòu)體或基底的納米微細(xì)結(jié)構(gòu)中,通過(guò)發(fā)光組件所產(chǎn)生的顏色光來(lái)充分激發(fā)量子點(diǎn)產(chǎn)生不同的顏色光,借此達(dá)到提高出光效率的效果。
本發(fā)明提供一種發(fā)光裝置。此發(fā)光裝置包括一基底、一發(fā)光組件以及一第一光學(xué)結(jié)構(gòu)體。基底具有一上表面與一下表面。發(fā)光組件是設(shè)置在基底的上表面上。第一光學(xué)結(jié)構(gòu)體是設(shè)置在發(fā)光組件上,且第一光學(xué)結(jié)構(gòu)體包括多個(gè)第一納米微細(xì)結(jié)構(gòu)以及多個(gè)第一量子點(diǎn)單元。各第一量子點(diǎn)單元是設(shè)置在第一納米微細(xì)結(jié)構(gòu)中。各第一量子點(diǎn)單元是用以被發(fā)光組件所產(chǎn)生的一第一顏色光激發(fā)而產(chǎn)生一不同于第一顏色光的第二顏色光。
本發(fā)明提供一種光學(xué)結(jié)構(gòu)體。此光學(xué)結(jié)構(gòu)體包括一基材、多個(gè)納米微細(xì)結(jié)構(gòu)以及多個(gè)第一量子點(diǎn)單元。納米微細(xì)結(jié)構(gòu)是設(shè)置在基材的一表面內(nèi)。第一量子點(diǎn)單元是設(shè)置在納米微細(xì)結(jié)構(gòu)中。
附圖說(shuō)明
圖1所示為本發(fā)明第一優(yōu)選實(shí)施例的發(fā)光裝置的側(cè)視示意圖。
圖2到圖5所示為本發(fā)明第一優(yōu)選實(shí)施例的發(fā)光裝置的第一納米微細(xì)結(jié)構(gòu)的圖形的上視示意圖。
圖6所示為本發(fā)明第二優(yōu)選實(shí)施例的發(fā)光裝置的示意圖。
圖7所示為本發(fā)明第三優(yōu)選實(shí)施例的發(fā)光裝置的示意圖。
圖8所示為本發(fā)明第四優(yōu)選實(shí)施例的發(fā)光裝置的示意圖。
其中,附圖標(biāo)記說(shuō)明如下:
100????發(fā)光裝置????????????101????光學(xué)結(jié)構(gòu)體
101G???納米微細(xì)結(jié)構(gòu)????????102????基材
110????基底????????????????110G???第二納米微細(xì)結(jié)構(gòu)
111????上表面??????????????112????下表面
120????發(fā)光組件????????????130????第一光學(xué)結(jié)構(gòu)體
130G???第一納米微細(xì)結(jié)構(gòu)????140????第二光學(xué)結(jié)構(gòu)體
140G???第三納米微細(xì)結(jié)構(gòu)????200????發(fā)光裝置
300????發(fā)光裝置????????????400????發(fā)光裝置
BL1????第一顏色光??????????BL2????第一顏色光
D1?????寬度????????????????D2?????寬度
GL1????第三顏色光????????GL2????第五顏色光
GL3????第七顏色光????????P1?????周期
P2?????周期??????????????QG1????第二量子點(diǎn)單元
QG2????第四量子點(diǎn)單元????QG3????第六量子點(diǎn)單元
QR1????第一量子點(diǎn)單元????QR2????第三量子點(diǎn)單元
QR3????第五量子點(diǎn)單元????RL1????第二顏色光
RL2????第四顏色光????????RL3????第六顏色光
T1?????深度??????????????T2?????深度
具體實(shí)施方式
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- 同類(lèi)專(zhuān)利
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L33-00 至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射的半導(dǎo)體器件;專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或設(shè)備;這些半導(dǎo)體器件的零部件
H01L33-02 .以半導(dǎo)體為特征的
H01L33-36 .以電極為特征的
H01L33-44 .以涂層為特征的,例如鈍化層或防反射涂層
H01L33-48 .以半導(dǎo)體封裝體為特征的
H01L33-50 ..波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件
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