[發(fā)明專利]半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210038738.8
• 申請(qǐng)日: 2012-02-17
• 公開（公告）號(hào): CN103022009A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 杜安群;黃振銘;吳志仁;林進(jìn)祥
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/544
• 分類號(hào): H01L23/544;G01R27/02
• 代理公司: 北京德恒律師事務(wù)所 11306
• 代理人: 陸鑫;房嶺梅

1.一種電阻式測(cè)試結(jié)構(gòu)，包括：

具有有源區(qū)的半導(dǎo)體襯底；

柵極堆疊件，形成于所述有源區(qū)的上方；

第一電接觸件，在所述柵極堆疊件的相對(duì)側(cè)上與所述有源區(qū)相通，所述第一電接觸件提供所述柵極堆疊件的第一維度上的電短路；以及

第二電接觸件，在所述柵極堆疊件的相對(duì)側(cè)上與所述有源區(qū)相通，所述第二電接觸件提供所述柵極堆疊件的所述第一維度上的電短路，所述第一電接觸件和所述第二電接觸件沿著所述柵極堆疊件的垂直于所述第一維度的第二維度間隔開。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電阻式測(cè)試結(jié)構(gòu)，其中，所述柵極堆疊件包括柵電極，所述柵電極不沿著所述第二維度上的整個(gè)所述有源區(qū)延伸。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電阻式測(cè)試結(jié)構(gòu)，其中，所述柵極堆疊件以下列布置中至少之一進(jìn)行配置：

在所述第一電接觸件和所述第二電接觸件之一或者兩者處接地；

在所述第一電接觸件和所述第二電接觸件之一或者兩者處偏置電壓；以及

所述第一電接觸件和所述第二電接觸件之一或者兩者都是浮置的。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電阻式測(cè)試結(jié)構(gòu)，形成在下列位置之一中：

偽晶圓；

生產(chǎn)晶圓的切割線；以及

生產(chǎn)晶圓的電路區(qū)。

5.一種使用電阻式器件實(shí)施的方法，其中，所述電阻式器件包括具有有源區(qū)的襯底，所述有源區(qū)通過電介質(zhì)與柵電極分開；以及電接觸件，所述電接觸件沿著所述柵電極的最長(zhǎng)維度，該方法包括：

實(shí)施一個(gè)或多個(gè)工藝形成所述電阻式器件；

測(cè)量所述電接觸件之間的電阻；以及

使所測(cè)量的電阻與所述工藝中的一個(gè)或多個(gè)的偏差相關(guān)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，進(jìn)一步包括下列行為的至少之一：

基于示出所述偏差不在可接受的限度內(nèi)的相關(guān)信息，判定半導(dǎo)體器件不合格；以及

基于示出所述偏差在可接受的限度內(nèi)的相關(guān)信息，判定半導(dǎo)體器件合格。

7.一種半導(dǎo)體器件，包括：

金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)結(jié)構(gòu)，具有：

半導(dǎo)體襯底，具有有源區(qū)和在所述有源區(qū)上設(shè)置的柵極堆疊件；

第一對(duì)電接觸件，位于所述柵極堆疊件的相對(duì)側(cè)上，與所述有源區(qū)相通，所述第一對(duì)電接觸件在所述柵極堆疊件的第一維度上電連接；以及

第二對(duì)電接觸件，位于所述柵極堆疊件的相對(duì)側(cè)上，與所述有源區(qū)相通，所述第二對(duì)電接觸件在所述柵極堆疊件的第一維度上電連接，所述第一對(duì)電接觸件和所述第二對(duì)電接觸件沿著所述柵極堆疊件的垂直于所述第一維度的最長(zhǎng)維度間隔開。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述柵極堆疊件包括柵電極，所述柵電極包括下列材料中的至少之一：

多晶硅；和

柵極金屬。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述柵極堆疊件包括柵極電介質(zhì)，所述柵極電介質(zhì)包括以下材料中的至少之一：

具有氧化物界面層的高k介電層；以及

SiO₂。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，形成在下列位置之一中：

偽晶圓；

生產(chǎn)晶圓的切割線；以及

生產(chǎn)晶圓的電路區(qū)。