[發明專利]分步沉淀法制備YAG納米粉體的方法

無效

• 申請號: 201210038510.9
• 申請日: 2012-02-13
• 公開（公告）號: CN102701722A
• 公開（公告）日: 2012-10-03
• 發明（設計）人: 王亮;寇華敏;石云;潘裕柏;郭景坤
• 申請（專利權）人: 中國科學院上海硅酸鹽研究所
• 主分類號: C04B35/44
• 分類號: C04B35/44;C04B35/622
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種YAG納米粉體的制備方法，其特征在于：采用分步沉淀的方法，先沉淀一種金屬離子，后將先得到的沉淀物分散于另一種金屬離子溶液中，再加入沉淀劑，得到沉淀混合物，即YAG前驅體；所得的YAG前驅體經煅燒后即可得到YAG納米粉體。

2.按權利要求1所述的方法，其特征在于采用Al(NO₃)₃和Y(NO₃)₃為原料，以NH₄HCO₃作為沉淀劑，先按照化學計量比稱取原料并稀釋成所需濃度的溶液，其二采用分步沉淀法先制備一種鋁離子或釔離子金屬離子的沉淀物，經過水洗和陳化后，將制得的沉淀物均勻分散在另一種金屬離子的溶液中充分攪拌后加入沉淀劑溶液形成懸浮液，得到混合沉淀，再經陳化、水洗、醇洗和干燥后得到YAG前驅體；最后將該前驅體進行煅燒，即得到YAG納米粉體。

3.按權利要求2所述的方法，其特征在于所述的金屬離子溶液濃度為0.1-2.0M。

4.按權利要求1所述的方法，其特征在于所述的沉淀劑濃度為0.1-2.0M。

5.按權利要求3或4所述的方法，其特征在于所述的原料和沉淀劑的純度為分析純。

6.按權利要求2所述的方法，其特征在于采用分步沉淀法是將Al(NO₃)₃或Y(NO₃)₃溶液以0.5-1.5ml/min的速度加入到NH₄HCO₃溶液中的。

7.按權利要求1或2所述的方法，其特征在于前驅體煅燒的溫度為1050℃。

8.按權利要求8所述的方法，其特征在于煅燒后所得的YAG粉體顆粒尺寸200-500nm。