[發(fā)明專利]具有穩(wěn)定供電的電容器的半導(dǎo)體集成電路及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210037951.7 | 申請日： | 2012-02-20 |
| 公開（公告）號： | CN102903717A | 公開（公告）日： | 2013-01-30 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 金宗洙 | 申請（專利權(quán)）人： | 海力士半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/06 | 分類號： | H01L27/06;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京弘權(quán)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;郭放 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 具有 穩(wěn)定 供電 電容器 半導(dǎo)體 集成電路 及其 制造 方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體集成電路，包括：
虛設(shè)電容器組，所述虛設(shè)電容器組形成在外圍電路區(qū)域上，且包括虛設(shè)儲存節(jié)點接觸單元、電介質(zhì)、以及虛設(shè)平板電極；以及
金屬氧化物半導(dǎo)體電容器，所述金屬氧化物半導(dǎo)體電容器形成在所述外圍電路區(qū)域中，且與所述虛設(shè)電容器組并聯(lián)連接，
其中，所述虛設(shè)電容器組的電容大于所述金屬氧化物半導(dǎo)體電容器的電容。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體集成電路，其中，所述虛設(shè)電容器組包括并聯(lián)連接的多個虛設(shè)單元電容器。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體集成電路，其中，所述金屬氧化物半導(dǎo)體電容器包括：
第一電極，所述第一電極與所述虛設(shè)儲存節(jié)點接觸單元電連接；
第二電極，所述第二電極與所述虛設(shè)平板電極電連接；以及
絕緣層，所述絕緣層夾在所述第一電極與所述第二電極之間。
4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體集成電路，其中，所述金屬氧化物半導(dǎo)體電容器的所述第一電極為有源區(qū)，而所述金屬氧化物半導(dǎo)體電容器的所述第二電極為柵極。
5.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體集成電路，其中，所述金屬氧化物半導(dǎo)體電容器的所述第一電極為柵極，而所述金屬氧化物半導(dǎo)體電容器的所述第二電極為有源區(qū)。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體集成電路，其中，所述虛設(shè)電容器組的所述虛設(shè)儲存節(jié)點接觸單元包括：第一儲存節(jié)點接觸單元以及與所述第一儲存節(jié)點接觸單元分開布置的第二儲存節(jié)點接觸單元。
7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體集成電路，其中，所述虛設(shè)電容器組包括：
第一虛設(shè)電容器組，所述第一虛設(shè)電容器組包括所述第一儲存節(jié)點接觸單元、所述電介質(zhì)、以及所述虛設(shè)平板電極；以及
第二虛設(shè)電容器組，所述第二虛設(shè)電容器組包括所述第二儲存節(jié)點接觸單元、所述電介質(zhì)、以及所述虛設(shè)平板電極。
8.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體集成電路，其中，所述虛設(shè)電容器組包括形成在與所述外圍電路區(qū)域相鄰的、包括多個單元陣列區(qū)域的單元區(qū)域中的單元電容器。
9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體集成電路，其中，所述第一虛設(shè)電容器組的電容對應(yīng)于在形成于所述單元區(qū)域的所述多個單元陣列區(qū)域之中的任何一個單元陣列區(qū)域中所形成的單元電容器的總電容。
10.一種半導(dǎo)體集成電路，包括：
第一虛設(shè)電容器組，所述第一虛設(shè)電容器組包括第一儲存節(jié)點接觸單元、第一電介質(zhì)、以及平板電極；
第二虛設(shè)電容器組，所述第二虛設(shè)電容器組包括所述平板電極、第二電介質(zhì)、以及第二儲存節(jié)點接觸單元；以及
金屬氧化物半導(dǎo)體電容器，所述金屬氧化物半導(dǎo)體電容器包括與所述第一儲存節(jié)點接觸單元連接的第一電極、以及與所述第二儲存節(jié)點接觸單元連接的第二電極。
11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體集成電路，其中，所述第一虛設(shè)電容器組和所述第二虛設(shè)電容器組中的至少一個包括并聯(lián)連接的多個虛設(shè)電容器。
12.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體集成電路，其中，所述第一虛設(shè)電容器組和所述第二虛設(shè)電容器組以及所述金屬氧化物半導(dǎo)體電容器形成在半導(dǎo)體襯底的外圍電路區(qū)域中。
13.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體集成電路，其中，所述虛設(shè)電容器組包括形成在與所述外圍電路區(qū)域相鄰的、包括多個單元陣列區(qū)域的單元區(qū)域中的單元電容器。
14.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體集成電路，其中，所述第一虛設(shè)電容器組和所述第二虛設(shè)電容器組中的至少一個的電容對應(yīng)于在所述單元區(qū)域的所述多個單元陣列區(qū)域之中的任何一個單元陣列區(qū)域中所形成的單元電容器的總電容。
15.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體集成電路，其中，所述金屬氧化物半導(dǎo)體電容器的所述第一電極為柵極，而所述金屬氧化物半導(dǎo)體電容器的所述第二電極為有源區(qū)。
16.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體集成電路，其中，所述金屬氧化物半導(dǎo)體電容器包括非直線形狀的凹陷柵極。
17.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體集成電路，其中，所述第一儲存節(jié)點接觸單元具有與所述第二儲存節(jié)點接觸單元相反的電位。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
