[發明專利]存儲單元的訪問方法和存儲單元

在審

• 申請號: 201210037743.7
• 申請日: 2012-02-17
• 公開（公告）號: CN103257830A
• 公開（公告）日: 2013-08-21
• 發明（設計）人: 李凡智;劉旭國
• 申請（專利權）人: 聯想（北京）有限公司
• 主分類號: G06F3/06
• 分類號: G06F3/06
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 安之斐

技術領域

本發明涉及計算機技術領域，更具體地，本發明涉及一種存儲單元的訪問方法和存儲單元。

背景技術

隨著計算機與通信技術的不斷發展，諸如固態硬盤(SSD)之類的存儲單元已經在我們的日常生活中屢見不鮮。

固態硬盤是一種采用固態電子存儲芯片陣列而制成的硬盤。固態硬盤的接口規范和定義、功能及使用方法與普通硬盤的完全相同，并且廣泛應用于通信終端、視頻監控等各種領域。

固態硬盤根據其存儲單元的介質不同，可以分為采用閃存(Flash)或動態隨機存取存儲器(DRAM)作為存儲介質的固態硬盤。其中，在基于閃存的固態硬盤中，其存儲單元又可以分為兩類：單層式儲存單元(SLC)和多層式儲存單元(MLC)。基于閃存的固態硬盤目前普遍使用在筆記本、平板電腦(PAD)、數碼相機或攝像機等中。這種SSD最大的優點就是可以移動，而且數據保護不受電源控制，能適應于各種環境。但是一般而言，它們的使用年限不高，并且讀寫壽命也不對稱。以基于SLC的固態硬盤為例，它可以進行100萬次以上的讀取操作，但是卻只能進行1萬次左右的寫入操作。因而，如何延長SSD使用壽命是本領域技術人員目前面臨的關鍵問題。

在現有技術中，一種用于延長固態硬盤的讀寫壽命的解決方案在于，通過修剪(TRIM)技術來估算閃存壽命并執行相應的優化。然而，這種方式僅僅是利用TRIM技術中的特定算法來對每個存儲單元的讀寫次數進行大致估計，由于這種估計的準確度并不太高，這就造成了對于閃存讀寫操作的優化不夠準確，從而無法很好地延長SSD使用壽命。

另一種解決方案在于，在固態硬盤中，僅僅通過一部分存儲單元來進行讀寫操作，而保留另一部分的存儲單元作為備用，當發現某些存儲單元由于超出讀寫次數(例如，寫入次數超過1萬次，或讀取次數超過100萬次)而損壞時，采用該備用的存儲單元替代損壞的存儲單元來后續操作。然而，這種解決方案顯然浪費了一部分的存儲單元，減少了固態硬盤日常的可用容量。

因此，需要一種存儲單元的讀寫方法，其能夠充分考慮到存儲單元的讀寫壽命短、以及讀寫次數不對稱的特點來對存儲單元進行訪問，以提高存儲單元的使用壽命。

發明內容

為了解決上述技術問題，根據本發明的一個方面，提供了一種存儲單元的訪問方法，應用于一存儲單元，所述存儲單元包括多個存儲區域，其特征在于，所述方法包括：記錄所述存儲單元中的每個存儲區域的被寫入次數；以及當所述存儲單元中的第一存儲區域的被寫入次數超過一閾值次數時，將所述第一存儲區域中存儲的第一類數據轉移至第二存儲區域，其中，所述第二存儲區域的被寫入次數小于所述閾值次數。

此外，根據本發明的另一方面，提供了一種存儲單元，所述存儲單元包括多個存儲區域，其特征在于，所述存儲單元包括：記錄裝置，用于記錄所述存儲單元中的每個存儲區域的被寫入次數；以及轉移裝置，用于當所述存儲單元中的第一存儲區域的被寫入次數超過一閾值次數時，將所述第一存儲區域中存儲的第一類數據轉移至第二存儲區域，其中，所述第二存儲區域的被寫入次數小于所述閾值次數。

根據本發明的又一方面，提供了一種存儲單元的訪問方法，應用于一存儲單元，所述存儲單元包括多個存儲區域，其特征在于，所述方法包括：記錄所述存儲單元中的每個存儲區域的被訪問次數；以及當所述存儲單元中的第一存儲區域的被訪問次數超過一閾值次數時，將所述第一存儲區域中存儲的第一類數據轉移至第二存儲區域，其中，所述第二存儲區域的被訪問次數小于所述閾值次數。

根據本發明的又一方面，提供了一種存儲單元，所述存儲單元包括多個存儲區域，其特征在于，所述存儲單元包括：記錄裝置，用于記錄所述存儲單元中的每個存儲區域的被訪問次數；以及轉移裝置，用于當所述存儲單元中的第一存儲區域的被訪問次數超過一閾值次數時，將所述第一存儲區域中存儲的第一類數據轉移至第二存儲區域，其中，所述第二存儲區域的被訪問次數小于所述閾值次數。

與現有技術相比，采用根據本發明的存儲單元的訪問方法和存儲單元，可以記錄存儲單元中的每個存儲區域的被寫入次數，并且當某一存儲區域的被寫入次數超過一閾值次數時，將所述存儲區域中存儲的數據轉移至被寫入次數小于所述閾值次數的其他存儲區域。因此，本發明可以使得存儲單元中的各個存儲區域的被寫入次數盡量相似，并且防止了由于對于存儲單元中的某個存儲區域的過多次數的寫入而導致該存儲區域損壞，從而延長了存儲單元的整體壽命。