[發明專利]制造化合物半導體器件的方法和洗滌劑

有效

• 申請號: 201210037725.9
• 申請日: 2012-02-17
• 公開（公告）號: CN102646587A
• 公開（公告）日: 2012-08-22
• 發明（設計）人: 今純一
• 申請（專利權）人: 富士通株式會社
• 主分類號: H01L21/335
• 分類號: H01L21/335;H01L21/02;C11D7/32;C11D7/26;C11D10/02
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 蔡勝有;吳鵬章

1.一種制造化合物半導體器件的方法，所述方法包括：

形成化合物半導體疊層結構；

除去所述化合物半導體疊層結構的一部分，以形成凹形部分；和

使用洗滌劑清潔所述凹形部分的內部，

其中所述洗滌劑包含溶劑以及與所述凹形部分中存在的殘留物相容的基礎樹脂。

2.根據權利要求1的制造化合物半導體器件的方法，

其中所述基礎樹脂包含選自聚乙烯醇、聚乙烯醇縮醛、聚乙酸乙烯酯、聚乙烯吡咯烷酮、聚丙烯酸、聚環氧乙烷、含酚式羥基的樹脂、含羧基的樹脂和環氧樹脂中的至少一種。

3.根據權利要求1的制造化合物半導體器件的方法，

其中所述基礎樹脂相對于所述洗滌劑的比例是0.1質量％至50質量％。

4.根據權利要求1的制造化合物半導體器件的方法，

其中所述溶劑包含選自水、基于醇的有機溶劑、基于鏈酯的有機溶劑、基于環酯的有機溶劑、基于酮的有機溶劑、基于鏈醚的有機溶劑、基于環醚的有機溶劑和基于胺的有機溶劑中的至少一種。

5.根據權利要求1的制造化合物半導體器件的方法，

其中所述洗滌劑包含還原劑。

6.根據權利要求1的制造化合物半導體器件的方法，

其中所述洗滌劑包含交聯劑。

7.根據權利要求1的制造化合物半導體器件的方法，

其中所述洗滌劑包含表面活性劑。

8.根據權利要求1的制造化合物半導體器件的方法，

其中所述清潔包括：

施用所述洗滌劑；

通過加熱蒸發所述洗滌劑中的所述溶劑來形成膜；和

移除所述膜。

9.一種制造化合物半導體器件的方法，所述方法包括：

在襯底上形成電子傳輸層；

在所述電子傳輸層上形成電子供應層；

至少在所述電子供應層中形成用于柵電極的凹部；和

使用洗滌劑清潔所述凹部的內部，

其中所述洗滌劑包含溶劑以及與所述凹部中存在的殘留物相容的基礎樹脂。

10.根據權利要求9的制造化合物半導體器件的方法，

其中所述基礎樹脂包含選自聚乙烯醇、聚乙烯醇縮醛、聚乙酸乙烯酯、聚乙烯吡咯烷酮、聚丙烯酸、聚環氧乙烷、含酚式羥基的樹脂、含羧基的樹脂和環氧樹脂中的至少一種。

11.根據權利要求9的制造化合物半導體器件的方法，

其中所述基礎樹脂相對于所述洗滌劑的比例是0.1質量％至50質量％。

12.根據權利要求9的制造化合物半導體器件的方法，

其中所述溶劑包含選自水、基于醇的有機溶劑、基于鏈酯的有機溶劑、基于環酯的有機溶劑、基于酮的有機溶劑、基于鏈醚的有機溶劑、基于環醚的有機溶劑和基于胺的有機溶劑中的至少一種。

13.根據權利要求9的制造化合物半導體器件的方法，

其中所述洗滌劑包含還原劑。

14.根據權利要求9的制造化合物半導體器件的方法，

其中所述洗滌劑包含交聯劑。

15.根據權利要求9的制造化合物半導體器件的方法，

其中所述洗滌劑包含表面活性劑。

16.根據權利要求9的制造化合物半導體器件的方法，

其中所述清潔包括：

施用所述洗滌劑；

通過加熱蒸發所述洗滌劑中的所述溶劑來形成膜；和

移除所述膜。

17.一種用于清潔化合物半導體層的洗滌劑，包含：

溶劑；

基礎樹脂，所述基礎樹脂與由所述化合物半導體層的加工產生的殘留物相容；和

還原劑，所述還原劑溶解到所述溶劑中以還原所述化合物半導體層的表面。

18.根據權利要求17的洗滌劑，

其中所述基礎樹脂包含選自聚乙烯醇、聚乙烯醇縮醛、聚乙酸乙烯酯、聚乙烯吡咯烷酮、聚丙烯酸、聚環氧乙烷、含酚式羥基的樹脂、含羧基的樹脂和環氧樹脂中的至少一種。

19.根據權利要求17的洗滌劑，

其中所述基礎樹脂相對于所述洗滌劑的比例是0.1質量％至50質量％。

20.根據權利要求17的洗滌劑，其中所述還原劑是有機酸。