[發明專利]一種鰭型場效應晶體管的制造方法

有效

• 申請號: 201210037667.X
• 申請日: 2012-02-17
• 公開（公告）號: CN103258740A
• 公開（公告）日: 2013-08-21
• 發明（設計）人: 王文博
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;顧珊

1.一種在體硅上形成高密度鰭型場效應晶體管的方法，包括：

在體硅上形成多個鰭片晶種；

薄化所述鰭片晶種；

在所述多個鰭片晶種之間形成隔離區以隔離所述多個鰭片晶種；

在所述鰭片晶種和所述隔離區上交替形成多個鍺硅層和硅層；

進行化學機械研磨處理以露出所述鰭片晶種；

除去所述鍺硅層。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述形成鰭片晶種的方法是光刻/蝕刻。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述薄化鰭片的方法是氧化和氧化去除，所述氧化和氧化去除的方法也用來去除所述蝕刻的瑕疵。

4.根據權利要求1所述的方法，其中在所述多個鰭片晶種中之間形成隔離區的方法包括淺溝道隔離沉積、化學機械研磨以及回蝕刻的步驟。

5.根據權利要求1所述的方法，其中交替形成多個鍺硅層和硅層的方法包括多層鍺硅/硅選擇性外延技術。

6.根據權利要求1所述的方法，其中所述鍺硅層與所述硅層的厚度比可以是任何比例。