[發(fā)明專利]銅互連結構及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210037645.3
• 申請日: 2012-02-17
• 公開（公告）號: CN103258779A
• 公開（公告）日: 2013-08-21
• 發(fā)明（設計）人: 周鳴
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/522
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

1.一種銅互連結構的制造方法，其特征在于，包括：

提供襯底，所述襯底上形成有低K介質(zhì)層及位于所述低K介質(zhì)層中的銅互連線；

形成Si-C-B掩膜層，所述Si-C-B掩膜層覆蓋所述低K介質(zhì)層及銅互連線；

在所述Si-C-B掩膜層上形成銅隔離層。

2.如權利要求1所述的銅互連結構的制造方法，其特征在于，在形成Si-C-B掩膜層之前，還包括以下步驟：

對低K介質(zhì)層及位于所述低K介質(zhì)層中的銅互連線進行退火處理。

3.如權利要求2所述的銅互連結構的制造方法，其特征在于，利用H₂進行退火處理。

4.如權利要求1至3中的任一項所述的銅互連結構的制造方法，其特征在于，所述Si-C-B掩膜層通過等離子體增強化學氣相沉積工藝形成。

5.如權利要求4所述的銅互連結構的制造方法，其特征在于，所述等離子體增強化學氣相沉積工藝的反應氣體為：SiH₄、CH₄和B₂H₆。

6.如權利要求5所述的銅互連結構的制造方法，其特征在于，所述反應氣體的流量分別為：SiH₄?50～1000sccm，CH₄?50～1000sccm，B₂H₆?50～1000sccm。

7.如權利要求4所述的銅互連結構的制造方法，其特征在于，所述等離子體增強化學氣相沉積工藝的反應氣體為：三甲基硅烷和B₂H₆。

8.如權利要求7所述的銅互連結構的制造方法，其特征在于，所述反應氣體的流量分別為：三甲基硅烷50～1000sccm，B₂H₆50～1000sccm。

9.如權利要求4所述的銅互連結構的制造方法，其特征在于，所述等離子體增強化學氣相沉積工藝的反應氣體為：四甲基硅烷和B₂H₆。

10.如權利要求9所述的銅互連結構的制造方法，其特征在于，所述反應氣體的流量分別為：四甲基硅烷50～1000sccm，B₂H6₅0～1000sccm。

11.如權利要求5至10中的任一項所述的銅互連結構的制造方法，其特征在于，所述等離子體增強化學氣相沉積工藝的工藝參數(shù)為：壓強1～7torr，電功率50～1000w，溫度300～400℃。

12.如權利要求5至10中的任一項所述的銅互連結構的制造方法，其特征在于，在所述等離子體增強化學氣相沉積工藝中，采用He作為反應的保護氣體。

13.如權利要求1至3中的任一項所述的銅互連結構的制造方法，其特征在于，所述銅隔離層由三甲基硅烷和NH3反應形成；或者由四甲基硅烷和NH3反應形成。

14.如權利要求1至13中的任一項所述的銅互連結構的制造方法制得的銅互連結構，其特征在于，包括：

襯底，位于所述襯底上的低K介質(zhì)層及位于所述低K介質(zhì)層中的銅互連線；

Si-C-B掩膜層，所述Si-C-B掩膜層覆蓋所述低K介質(zhì)層及銅互連線；及

位于所述Si-C-B掩膜層上的銅隔離層。