[發(fā)明專利]具有傳感器的集成電路和制造這種集成電路的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210037533.8
• 申請日: 2012-02-17
• 公開（公告）號: CN102646644A
• 公開（公告）日: 2012-08-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 羅埃爾·達門;羅伯特斯·沃特斯;雷內(nèi)·榮根;尤里·波諾馬廖夫
• 申請（專利權(quán)）人: NXP股份有限公司
• 主分類號: H01L23/00
• 分類號: H01L23/00;H01L27/02;H01L23/522;H01L21/768;G01N27/22
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 倪斌

1.一種集成電路，包括：

承載多個電路元件的襯底(10)；

互連所述電路元件的金屬化疊層(12，14，16)，所述金屬化疊層包括圖案化上金屬化層，所述圖案化上金屬化層包括第一金屬部(20)；

覆蓋金屬化疊層的鈍化疊層(24，26，28)；和

傳感器，包括位于鈍化疊層上的傳感材料(40)，所述傳感器通過延伸穿過鈍化疊層的通路(34)連接至第一金屬部。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中傳感器還包括位于鈍化疊層(24，26，28)上的電極(54)，所述電極電連接至所述通路(34)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中所述通路(34)包括鎢。

4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項所述的集成電路，還包括上金屬化層中的鍵合焊盤部(20’，22)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的集成電路，其中鈍化疊層(24，26，28)包括至少部分地露出鍵合焊盤部(22)的開口(38)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的集成電路，其中鈍化疊層(24，26，28)還包括圍繞所述開口的不透濕氣保護環(huán)(34’)，所述保護環(huán)延伸到鍵合焊盤部(22)上。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的集成電路，還包括位于所述鈍化疊層(24，26，28)上的鍵合焊盤(56)，所述鍵合焊盤通過延伸穿過鈍化疊層的另一個通路(34)電連接至鍵合焊盤部(20’)。

8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的集成電路，其中傳感器還包括位于鈍化疊層(24，26，28)上的第二電極(54)，其中上金屬化層包括通過延伸穿過鈍化層的第二通路電連接至第二電極的第二金屬部(20)，第一電極和第二電極通過傳感材料(40)彼此電絕緣，并且其中傳感材料具有根據(jù)相對濕度而變化的可變介電常數(shù)。

9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的集成電路，其中鈍化疊層包括Ta₂O₅層(42)，所述傳感材料(40)形成在所述Ta₂O₅層上。

10.一種制造集成電路的方法，包括：

提供承載多個電路元件的襯底(10)；

形成互連所述電路元件的金屬化疊層(12，14，16)，所述金屬化疊層包括圖案化上金屬化層，所述圖案化上金屬化層包括第一金屬部(20)；

形成覆蓋金屬化疊層的鈍化疊層(24，26，28)；

在鈍化疊層中形成溝槽(32)以露出第一金屬部；

在所述溝槽中形成通路(34)；以及

在所述通路上方形成包括位于鈍化疊層上的傳感材料(40)的傳感器。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中形成所述傳感器的步驟包括在鈍化疊層上形成第一電極(54)，其中第一電極電連接至所述通路(34)。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中：

圖案化上金屬化層包括第二金屬部(20)；

形成所述溝槽(32)的步驟還包括形成露出第二金屬部的另一溝槽；

形成所述通路(34)的步驟還包括在所述另一溝槽中形成第二通路；以及

形成所述傳感器的步驟還包括在鈍化疊層(24，26，28)上形成第二電極，第二電極通過傳感材料(40)與第一電極電絕緣，其中第二電極電連接至第二通路。

13.根據(jù)權(quán)利要求10-12中任一項所述的方法，其中上金屬化層還包括鍵合焊盤部(20’，22)，并且其中該方法還包括：在鈍化疊層(24，26，28)中形成至少部分地露出所述鍵合焊盤部的開口(38)。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，還包括：在鈍化疊層中形成圍繞所述開口(38)的不透濕氣保護環(huán)(24’)，所述保護環(huán)延伸到鍵合焊盤部上。

15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，還包括：在所述開口中形成另一通路，以及在鈍化疊層(24，26，28)上形成電連接至所述另一通路的鍵合焊盤(56)。