[發(fā)明專利]多級深臺階的形成方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210037515.X | 申請日： | 2012-02-17 |
| 公開（公告）號： | CN102543682A | 公開（公告）日： | 2012-07-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 陳健;張艷紅;張挺 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海先進(jìn)半導(dǎo)體制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 鄭瑋 |
| 地址： | 200233 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 多級 臺階 形成 方法 | ||
1.一種多層深臺階的形成方法，其特征在于，包括以下步驟：
在襯底上沉積第一薄膜；
涂覆第一光刻膠，光刻形成第一窗口；
刻蝕去除第一窗口內(nèi)的第一薄膜，然后去除第一光刻膠；
在上述結(jié)構(gòu)表面沉積第二薄膜；
涂覆第二光刻膠，光刻形成第二窗口，所述第二窗口與第一窗口的位置對應(yīng)且寬度小于第一窗口；
刻蝕去除第二窗口內(nèi)的第二薄膜，然后去除第二光刻膠；
以第二薄膜為掩膜刻蝕襯底，在襯底上形成第一臺階；
去除第二薄膜，以第一薄膜為掩膜刻蝕襯底，在襯底上形成第二臺階；
去除第一薄膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層深臺階的形成方法，其特征在于：所述第一薄膜的材料為氧化硅或氮化硅或氮化鈦或氧化鋁。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層深臺階的形成方法，其特征在于：所述第二薄膜的材料為為氧化硅或氮化硅或氮化鈦或氧化鋁。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層深臺階的形成方法，其特征在于：在去除第一光刻膠的步驟之后、沉積第二薄膜的步驟之前，還包括在上述結(jié)構(gòu)表面沉積一層緩沖層；并且
所述刻蝕去除第二窗口內(nèi)的第二薄膜的步驟包括刻蝕去除第二窗口內(nèi)的第二薄膜和緩沖層；
所述去除第二薄膜的步驟包括去除第二薄膜和緩沖層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的多層深臺階的形成方法，其特征在于：所述緩沖層的材料為硼磷硅玻璃或磷硅玻璃。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層深臺階的形成方法，其特征在于：所述第一臺階的深度為1μm-100μm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層深臺階的形成方法，其特征在于：所述第二臺階的深度為1μm-100μm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層深臺階的形成方法，其特征在于：所述第一薄膜和第二薄膜沉積采用化學(xué)氣相淀積方式或濺射方式。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
