[發明專利]帶有具有壓縮應力的保形沉積導電層的深溝槽電容器有效
| 申請號： | 201210037422.7 | 申請日： | 2012-02-16 |
| 公開（公告）號： | CN102709311B | 公開（公告）日： | 2016-11-02 |
| 發明（設計）人： | 田磊;斯科特·威爾遜·巴里;應學軍 | 申請（專利權）人： | 馬克西姆綜合產品公司 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06;H01L27/08 |
| 代理公司： | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人： | 鄔少俊;王英 |
| 地址： | 美國加利*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 帶有 具有 壓縮 應力 沉積 導電 深溝 電容器 | ||
1.一種硅芯片，其包括：
溝槽式M1M電容器，其包括：
硅襯底層，其具有底部側及頂部側，所述頂部側的一部分界定多個溝槽；
第一MIM電容器堆疊，其覆蓋所述頂部側的所述部分；及
第一導電壓縮材料層，其大致覆蓋所述第一MIM電容器堆疊。
2.根據權利要求1所述的硅芯片，其中所述第一導電壓縮材料層填充所述多個溝槽。
3.根據權利要求1所述的硅芯片，其中所述溝槽式MIM電容器進一步包括：
第二MIM電容器堆疊，其覆蓋所述第一導電壓縮材料層的至少一部分；及
第二導電壓縮材料層，其大致覆蓋所述第二MIM電容器堆疊。
4.根據權利要求1所述的硅芯片，其進一步包括大致覆蓋多個溝槽式MIM電容器的上部表面的壓縮鈍化氧化物層。
5.根據權利要求1所述的硅芯片，其進一步包括在所述底部側上的抗拉材料層。
6.根據權利要求1所述的硅芯片，其中所述硅芯片為硅晶片的一部分。
7.根據權利要求1所述的硅芯片，其進一步包括在所述頂部側與所述第一MIM電容器堆疊之間的第三導電壓縮材料層。
8.根據權利要求1所述的硅芯片，其中所述第一MIM電容器堆疊包括在第一TiN層與第二TiN層之間的第一Hi-k層。
9.根據權利要求1所述的硅芯片，其中所述第一導電壓縮材料層包括Poly-SixGe1-x。
10.一種包括未經切割的硅芯片部分的硅晶片，所述未經切割的硅芯片部分包括深溝槽陣列；所述深溝槽陣列界定深溝槽MIM電容器，所述深溝槽MIM電容器包括：
硅襯底，其具有在其中界定溝槽的頂部表面；
第一MIM堆疊層，其上覆于所述頂部表面上；及
第一導電壓縮材料層，其上覆于所述第一MIM堆疊層上。
11.根據權利要求10所述的硅晶片，其中所述深溝槽MIM電容器進一步包括：
第二MIM堆疊層，其上覆于所述第一導電壓縮材料層上；及
第二導電壓縮材料層，其上覆于所述第二MIM堆疊層上。
12.根據權利要求11所述的硅晶片，其中所述第二導電壓縮材料層大致填充所述溝槽。
13.根據權利要求12所述的硅晶片，其中鈍化氧化物層上覆于所述第二導電壓縮層上方。
14.根據權利要求10所述的硅晶片，其進一步包括第三導電壓縮材料層，所述第三導電壓縮材料層上覆于所述頂部表面上方所述頂部表面與所述第一MIM堆疊層之間。
15.根據權利要求10所述的硅晶片，其中第一MIM堆疊層包括第一TiN層與第二TiN層，在所述第一TiN層與所述第二TiN層之間具有Hi-k層。
16.根據權利要求10所述的硅晶片，其中所述第一導電壓縮層包括Poly-SixGe1-x，其中0.2≤x≤0.85。
17.一種硅芯片，其包括：
深蝕刻結構MIM電容器，其包括：
硅襯底層，其具有底部側及頂部側，所述頂部側的一部分界定多個深蝕刻高縱橫比結構，其中所述高縱橫比介于從約20∶1到約120∶1的范圍內；
第一MIM電容器堆疊，其覆蓋所述頂部側的所述部分；及
第一導電壓縮材料層，其大致覆蓋所述第一MIM電容器堆疊。
18.根據權利要求17所述的硅芯片，其中所述第一導電壓縮材料層填充所述多個深蝕刻高縱橫比結構。
19.根據權利要求17所述的硅芯片，其中所述深蝕刻結構MIM電容器進一步包括：
第二MIM電容器堆疊，其覆蓋所述第一導電壓縮材料層的至少一部分；及
第二導電壓縮材料層，其大致覆蓋所述第二MIM電容器堆疊。
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