[發(fā)明專利]能降低鄰近字線或晶體管影響的半導體器件及其制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210037153.4
• 申請日: 2012-02-17
• 公開（公告）號: CN103165609A
• 公開（公告）日: 2013-06-19
• 發(fā)明（設計）人: 林瑄智
• 申請（專利權）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L21/8242
• 代理公司: 深圳新創(chuàng)友知識產(chǎn)權代理有限公司 44223
• 代理人: 江耀純

1.一種能降低鄰近字線影響的半導體器件，其特征在于，包括：

基底；

第一字線，設置在基底中，及源極/漏極摻雜區(qū)，設置在第一字線兩側的基底中，其中第一字線包括有：

第一柵極溝渠，設置在基底中；

第一柵極電極，設置在第一柵極溝渠內(nèi)；

第一柵極介電層，設置在第一柵極電極與基底之間；及

至少一個第一電荷捕捉層，鄰近第一柵極電極。

2.如權利要求1所述的能降低鄰近字線影響的半導體器件，其特征在于，所述第一電荷捕捉層包含有HfO₂、TiO₂、ZrO₂、鍺納米晶層、有機電荷捕捉材料、HfSiO_xN_y或MoSiO_qN_z，其中x、y、q及z為整數(shù)。

3.如權利要求1所述的能降低鄰近字線影響的半導體器件，其特征在于，所述第一電荷捕捉層直接接觸所述第一柵極電極。

4.如權利要求1所述的能降低鄰近字線影響的半導體器件，其特征在于，所述第一字線具有埋入結構。

5.如權利要求4所述的能降低鄰近字線影響的半導體器件，其特征在于，所述第一柵極電極設置在所述第一柵極溝渠的下部，而所述第一電荷捕捉層位在所述第一柵極溝渠的上部。

6.如權利要求5所述的能降低鄰近字線影響的半導體器件，其特征在于，還包括上蓋層，位在所述第一柵極溝渠的上部，其中上蓋層直接接觸所述第一電荷捕捉層。

7.如權利要求6所述的能降低鄰近字線影響的半導體器件，其特征在于，所述上蓋層包含有Si₃N₄或SiO₂

8.如權利要求1所述的能降低鄰近字線影響的半導體器件，其特征在于，還包括淺溝渠絕緣結構，位在所述基底中，且淺溝絕緣結構鄰近所述第一字線。

9.如權利要求8所述的能降低鄰近字線影響的半導體器件，其特征在于，所述淺溝渠絕緣結構具有絕緣溝渠，位在所述基底中，第二電荷捕捉層填入絕緣溝渠，其特征在于第二電荷捕捉層包含有HfO₂、TiO₂、ZrO₂、鍺納米晶層、有機電荷捕捉材料、HfSiO_xN_y或MoSiO_qN_z，其中x、y、q及z為整數(shù)。

10.如權利要求1所述的能降低鄰近字線影響的半導體器件，其特征在于，另包括：

第二字線，設置在所述基底中，并鄰近所述第一字線，其中第二字線包含：

第二柵極溝渠，位在基底中；

第二柵極電極，設置在第二柵極溝渠中；

第二柵極介電層，設置在第二柵極電極和基底之間；及

至少一個第三電荷捕捉層，鄰近第二柵極電極。

11.如權利要求10所述的能降低鄰近字線影響的半導體器件，其特征在于，所述第三電荷捕捉層包括HfO₂、TiO₂、ZrO₂、鍺納米晶層、有機電荷捕捉材料、HfSiO_xN_y或MoSiO_qN_z，其中x、y、q及z為整數(shù)。

12.如權利要求10所述的能降低鄰近字線影響的半導體器件，其特征在于，所述第一字線與所述第二字線之間的所述基底中具有共同源極摻雜區(qū)。