[發明專利]高柵極密度器件和方法

有效

• 申請號: 201210036781.0
• 申請日: 2012-02-17
• 公開（公告）號: CN103137624A
• 公開（公告）日: 2013-06-05
• 發明（設計）人: 謝銘峰;張長昀;陳欣志
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/092
• 分類號: H01L27/092;H01L21/8238
• 代理公司: 北京德恒律師事務所 11306
• 代理人: 陸鑫;房嶺梅

1.一種半導體器件，所述半導體器件包括：

多個柵極結構，設置在半導體襯底上；

多個電介質材料的柵極側壁間隔件，形成在所述多個柵極結構的各個側壁上；

層間電介質(ILD)，設置在所述半導體襯底和所述柵極結構上；

隔離部件，嵌入所述半導體襯底內并延伸至所述ILD；以及

電介質材料的側壁間隔件，設置在所述隔離部件的延伸部的側壁上。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，進一步包括靠近所述隔離部件和靠近所述柵極結構的外延生長區。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，其中所述外延生長區彼此具有相同的形狀。

4.根據權利要求2所述的半導體器件，其中所述外延生長區彼此具有相同的晶面。

5.根據權利要求2所述的半導體器件，其中所述外延生長區包括硅鍺。

6.一種形成半導體器件的方法，該方法包括：

提供半導體襯底；

在所述半導體襯底中形成多個偽柵極結構；

在所述偽柵極結構的側壁上形成側壁間隔件；

在所述偽柵極結構之間形成多個外延生長區；

在形成所述多個外延生長區后，去除所述偽柵極結構中之一來形成隔離溝槽；

用電介質層填充所述隔離溝槽來形成隔離部件；

去除剩余的所述偽柵極結構來形成柵極溝槽；

在所述柵極溝槽內形成柵極結構。

7.根據權利要求6所述的方法，其中所述隔離溝槽的上部具有與所述偽柵極結構相似的輪廓。

8.根據權利要求6所述的方法，其中所述隔離溝槽蝕刻包括第一部分，所述第一部分為去除所述偽柵極部件并且暴露所述半導體襯底以形成所述隔離溝槽的上部。

9.根據權利要求8所述的方法，進一步包括蝕刻的第二部分，所述第二部分為蝕刻所述半導體襯底從而形成所述隔離部件的下部。

10.一種半導體器件，所述半導體器件包括：

硅襯底；

兩個設置在所述襯底上的高k/金屬柵極(HK/MG)部件；

形成在所述HK/MG部件的各個側壁上的多個電介質材料的柵極間隔件；

形成在所述兩個HK/MG部件之間的多個外延生長硅鍺區，其中，所述外延生長區彼此具有相同的形狀和相同的晶面；以及

設置在所述半導體襯底和所述HK/MG部件上的ILD；

嵌入所述半導體襯底并延伸至所述ILD的隔離部件；以及，

設置在所述隔離部件的延伸部的側壁上的電介質材料的側壁間隔件。