[發(fā)明專利]一種相變存儲器的置位電路及其置位方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210036696.4
• 申請日: 2012-02-17
• 公開（公告）號: CN102592663A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王瑞哲;洪紅維;董驍;黃崇禮
• 申請（專利權(quán)）人: 北京時(shí)代全芯科技有限公司
• 主分類號: G11C11/4193
• 分類號: G11C11/4193;G11C11/56
• 代理公司: 北京邦信陽專利商標(biāo)代理有限公司 11012
• 代理人: 王昭林;項(xiàng)京

1.一種相變存儲器的置位電路，其特征在于，包括：可調(diào)電壓脈沖源、第一開關(guān)電路、可變斜率電壓脈沖源、NMOS管、相變電阻和選通管；

所述可調(diào)電壓脈沖源與第一開關(guān)電路的第一端相連；所述可變斜率電壓脈沖源的輸出端與NMOS管的柵極相連；所述第一開關(guān)電路的第二端和NMOS管的漏極與相變電阻的第一端相連；相變電阻的第二端與選通管的漏極相連；選通管的源極和NMOS管的源極接地；

可調(diào)電壓脈沖源在執(zhí)行置位操作時(shí)，輸出滿足SET操作所需溫度要求的第一電壓脈沖；所述第一開關(guān)電路在第一電壓脈沖到來時(shí)閉合，在第一電壓脈沖結(jié)束時(shí)斷開；所述可變斜率電壓脈沖源在第一電壓脈沖結(jié)束時(shí)輸出線性上升的第二電壓脈沖給NMOS管；NMOS管在收到第二電壓脈沖時(shí)導(dǎo)通；所述選通管在執(zhí)行SET操作時(shí)導(dǎo)通。

2.如權(quán)利要求1所述的置位電路，其特征在于：所述第一開關(guān)電路為帶控制端的開關(guān)器件。

3.如權(quán)利要求1所述的置位電路，其特征在于：所述第一開關(guān)電路包括第一反相器和第一PMOS管；所述第一反相器的第一端與可調(diào)電壓脈沖源的輸出端相連，第二端與第一PMOS管的柵極相連；第一PMOS管的源極連接SET操作所需的電壓源，第一PMOS管的漏極連接相變電阻的第一端；

所述可變斜率電壓脈沖源由所述可調(diào)電壓脈沖源、第二反相器和第二PMOS管實(shí)現(xiàn)；所述第二反相器的第一端與可調(diào)電壓脈沖源的輸出端相連，第二端與第二PMOS管的柵極和所述NMOS管的柵極相連；第二PMOS管的源極和漏極連接SET操作所需的電壓源。

4.如權(quán)利要求3所述的置位電路，其特征在于：該置位電路在所述相位電阻的第一端與接地端存在寄生電容。

5.一種相變存儲器的置位方法，其特征在于：對于每個(gè)相變電阻采用權(quán)利要求1所述的置位電路；執(zhí)行SET操作包括如下步驟：

A、控制選通管導(dǎo)通；

B、控制第一開關(guān)電路閉合，將所述可調(diào)電壓脈沖源輸出的第一電壓脈沖通過第一開關(guān)電路輸出給相變電阻；

C、控制第一開關(guān)電路在第一電壓脈沖結(jié)束時(shí)斷開，且控制所述可變斜率電壓脈沖源在第一電壓脈沖結(jié)束時(shí)輸出線性上升的第二電壓脈沖導(dǎo)通NMOS管；所述相變電阻由自身放電和NMOS管緩慢放電。

6.如權(quán)利要求5所述的置位方法，其特征在于：所述第一開關(guān)電路包括第一反相器和第一PMOS管；所述第一反相器的第一端與可調(diào)電壓脈沖源的輸出端相連，第二端與第一PMOS管的柵極相連；第一PMOS管的源極連接SET操作所需的電壓源，第一PMOS管的漏極連接相變電阻的第一端；

所述可變斜率電壓脈沖源由所述可調(diào)電壓脈沖源、第二反相器和第二PMOS管實(shí)現(xiàn)；所述第二反相器的第一端與可調(diào)電壓脈沖源的輸出端相連，第二端與第二PMOS管的柵極和所述NMOS管的柵極相連；第二PMOS管的源極和漏極連接SET操作所需的電壓源。

7.如權(quán)利要求5所述的置位方法，其特征在于：

所述步驟B為：將由可調(diào)電壓脈沖源產(chǎn)生的從0到第一電壓脈沖幅值的變化電平輸出給第一反向器和第二反相器；第一反相器將電平反向后輸出給第一PMOS管，使第一PMOS管導(dǎo)通，通過將所述電壓源經(jīng)第一PMOS管輸入給相變電阻，實(shí)現(xiàn)將可調(diào)方波電壓脈沖電路輸出的第一電壓脈沖間接輸入給相變電阻；第二反相器將電平反向后輸出給NMOS管，使NMOS管截止；

所述步驟C為：將由可調(diào)電壓脈沖源產(chǎn)生的從第一電壓脈沖到0的變化電平輸出給第一反向器和第二反相器；第一反相器將電平反向后輸出給第一PMOS管，使第一PMOS管截止；第二反相器將電平反向后輸出給NMOS管，使NMOS管柵極的電壓呈線性上升，導(dǎo)通NMOS管；所述相變電阻由自身放電和NMOS管緩慢放電。

8.如權(quán)利要求7所述的置位方法，其特征在于：該寫入電路在所述相位電阻的第一端與接地端存在寄生電容。

9.如權(quán)利要求8所述的置位方法，其特征在于：所述步驟C中，相變電阻由自身放電、NMOS管和寄生電容實(shí)現(xiàn)緩慢放電。

10.如權(quán)利要求7-9所述的寫入方法，其特征在于：所述第一電壓脈沖的幅值和脈寬根據(jù)對實(shí)際電路SET操作的檢測設(shè)置；NMOS管柵極的呈線性上升的電壓的時(shí)間，通過調(diào)整所述第二PMOS管和NMOS管的尺寸實(shí)現(xiàn)。