[發明專利]成像裝置和成像系統有效
| 申請號: | 201210036291.0 | 申請日: | 2012-02-17 |
| 公開(公告)號: | CN102646692A | 公開(公告)日: | 2012-08-22 |
| 發明(設計)人: | 鈴木隆典 | 申請(專利權)人: | 佳能株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H04N5/335 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人: | 曹瑾 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 成像 裝置 系統 | ||
1.一種成像裝置,包括:
成像板,具有光入射的前面、和具有包含中心的中間區域和包圍中間區域的周邊區域的后面;
保持板,具有被配置為從所述后面側保持所述成像板的保持面;和
中間部件,通過被固定于所述成像板和所述保持板而被設置在所述周邊區域和所述保持面之間,
其中,所述中間部件不在所述中間區域的至少一部分和從所述保持面延伸的平面上的面向所述中間區域的面向區域的至少一部分之間延伸,并且在其間形成空隙,并且,
其中,所述成像板的線膨脹系數和所述中間部件的線膨脹系數之間的算術差小于所述保持板的線膨脹系數和所述中間部件的線膨脹系數之間的算術差。
2.根據權利要求1的成像裝置,其中,所述成像板的線膨脹系數和所述中間部件的線膨脹系數之間的算術差小于所述成像板的線膨脹系數和所述保持板的線膨脹系數之間的算術差。
3.根據權利要求1的成像裝置,其中,所述中間部件的厚度為所述保持面和所述周邊區域之間的距離的一半或更大。
4.根據權利要求1的成像裝置,其中,所述中間部件在被分成多個分割的部件的狀態下被設置在所述周邊區域和所述保持面之間。
5.根據權利要求1的成像裝置,還包括:
被設置在所述中間部件和所述保持面之間的緩沖部件,
其中,所述緩沖部件的楊氏模量為100MPa或更小,并且所述緩沖部件的厚度為0.1mm或更大。
6.根據權利要求1的成像裝置,還包括:
與所述成像板電連接的電路部件,
其中,所述電路部件被固定于所述中間部件。
7.根據權利要求6的成像裝置,其中,中間部件在被分成多個中間部件的狀態下設置在所述周邊區域和所述保持面之間。
8.根據權利要求6的成像裝置,其中,所述電路部件被設置在所述中間部件和所述周邊區域之間。
9.根據權利要求6的成像裝置,其中,所述成像板和所述電路部件通過接合導線被電連接。
10.根據權利要求1的成像裝置,其中,所述成像板和所述中間部件的主要材料是硅。
11.根據權利要求10的成像裝置,其中,所述中間部件的厚度大于等于0.5mm且小于等于2.0mm。
12.根據權利要求1的成像裝置,其中,所述保持板的主要材料是非磁性金屬。
13.根據權利要求1的成像裝置,其中,所述前面形成凹面。
14.根據權利要求1的成像裝置,其中,所述前面的面積為300mm2或更大。
15.根據權利要求1的成像裝置,其中,所述前面的面積為10000mm2或更大。
16.一種成像系統,包括:
根據權利要求1~15中的任一項的成像裝置;和
信號處理裝置,對其輸入來自所述成像裝置的輸出信號,并且所述信號處理裝置處理所述輸出信號并且輸出圖像信號。
17.一種成像裝置,包括:
成像板,具有光進入到其中的前面、和具有包含中心的中間區域和包圍中間區域的周邊區域的后面;
保持板,具有被配置為從所述后面側保持所述成像板的保持面;和
中間部件,通過被固定于所述成像板和所述保持板而被設置在所述周邊區域和所述保持面之間,
其中,所述前面的面積為300mm2或更大,
所述中間部件不在所述中間區域的至少一部分和從所述保持面延伸的平面上的面向所述中間區域的面向區域的至少一部分之間延伸,并且在其間形成空隙,并且,
其中,所述成像板和所述中間部件的主要材料是硅,并且所述保持板的主要材料是非磁性金屬。
18.根據權利要求17的成像裝置,其中,所述中間部件的厚度大于等于0.5mm且小于等于2.0mm,并且所述前面的面積為10000mm2或更大。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于佳能株式會社,未經佳能株式會社許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210036291.0/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:具有改進的流變性的基于天然原料的磨劑
- 下一篇:動力工具
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





