[發(fā)明專利]太陽能電池模塊無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210036096.8 | 申請日: | 2012-02-15 |
| 公開(公告)號: | CN102683357A | 公開(公告)日: | 2012-09-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 蔡進耀;彭裕鈞;林柏翰;林義凱;廖振良;張志雄;林昆志 | 申請(專利權(quán))人: | 宇通光能股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/142 | 分類號: | H01L27/142 |
| 代理公司: | 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁揮;常大軍 |
| 地址: | 中國臺灣臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 太陽能電池 模塊 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種太陽能裝置,特別涉及一種具有多個相互排列設(shè)置的子模塊的薄膜太陽能電池模塊(Thin?Film?Photovoltaic?Module),至少一子模塊通過一間隔與緊鄰的子模塊分離,多個子模塊以并聯(lián)方式電性連接,以降低其工作電壓。
背景技術(shù)
太陽能電池(Photovoltaic?Cell)通過光伏效應(yīng)(Photovoltaic?Effect)以將太陽光的能量轉(zhuǎn)換成電能。而通過太陽能電池的組合配置而成為太陽能電池模塊(Photovoltaic?Module)或太陽能面板(Solar?Panel)。現(xiàn)今常用的太陽能電池主要由塊狀材料如晶硅(Crystalline?Silicon)與多晶硅(Polycrystalline?Silicon)所構(gòu)成。此外,太陽能電池可通過制成為一薄膜層(Thin?Film?Layer)的形式配置于一基板上,如此的薄膜式太陽能電池相較于塊狀太陽能電池,可降低其材料需求量而減少材料成本,故,由于薄膜式太陽能電池具有低成本、易曲性、重量輕以及易于整合等優(yōu)點,因此薄膜式太陽能電池逐漸開始廣為流行發(fā)展。
請參考圖11,圖11為現(xiàn)有之薄膜太陽能電池模塊的俯視示意圖。薄膜太陽能電池模塊10包括多個太陽能電池,{Cj},以設(shè)置而形成一陣列,其中j=1、2、3、...N,N是為一正整數(shù)。于此說明例中,多個太陽能電池{Cj}形成于一基板上。每一太陽能電池具有一形成于基板上的前導電層、一形成于前導電層上的主動(光伏)層以及一形成于主動層的后導電層。薄膜太陽能電池模塊10還具有一正電極17及一負電極18,正電極17形成于第一太陽能電池C1的后導電層,負電極18形成于最后太陽能電池CN的后導電層。全部的太陽能電池C1至CN以串聯(lián)方式連接。此種配置方式具有一種缺點,即相較于同尺寸的塊狀式晶硅太陽能電池模塊,薄膜太陽能電池模塊10需要較高的操作電壓,故造成較高的轉(zhuǎn)換變頻成本,進而產(chǎn)生較高的設(shè)備成本。
因此,目前尚未解決于現(xiàn)有技術(shù)中的上述缺陷及不足之處。
發(fā)明內(nèi)容
鑒于以上問題,本發(fā)明的一實施例提出一種薄膜太陽能電池模塊,薄膜太陽能電池模塊形成于一基板上,基板包括玻璃、塑膠或金屬。于一實施例中,太陽能電池模塊包括一第一子模塊及一第二子模塊。
第一子模塊及第二子模塊分別包括多個太陽能電池以排列設(shè)置而形成一陣列,其中每一太陽能電池包括一第一導電層、一主動層及一第二導電層,第一導電層設(shè)置于基板上,主動層設(shè)置于第一導電層上,第二導電層設(shè)置于主動層上。每一第一子模塊及第二子模塊中的多個太陽能電池以串聯(lián)方式相互電性連接,于此,各自的第一子模塊及第二子模塊中,除了最后的太陽能電池,每一太陽能電池的第二導電層電性連接于緊鄰的太陽能電池的第一導電層。主動層包括至少一光吸收層,上述的至少一光吸收層由至少一半導體所形成。于一實施例中,主動層包括一非晶硅(Amorphous?Silicon、α-Si)層、一微晶硅(Micro-Crystalline?silicon、μc-Si)層或同時包括上述兩層。于一實施例中,每一第一子模塊及第二子模塊包括一透明導電薄膜(Transparent?Conducting?Oxide,TCO)或一金屬。透明導電薄膜包括氧化鋅(Zinc?Oxide,ZnO)、二氧化錫(Tin?Oxide,SnO2)、銦錫氧化物(Indium?Tin?Oxide,ITO)、鋁錫氧化物(Aluminum?Tin?Oxide,ATO)、鋁鋅氧化物(Aluminum?Zinc?Oxide,AZO)、鎘銦氧化物(Cadmium?Indium?Oxide,CIO)、鎘鋅氧化物(Cadmium?Zinc?Oxide,CZO)、鎵鋅氧化物(Gallium?Zinc?Oxide,GZO)、氟錫氧化物(Fluorine?Tin?Oxide,F(xiàn)TO)或上述的一組合,但不限于上述的材料。金屬包括鉻(Chromium,Cr)、銅(Copper,Cu)、鉬(Molybdenum,Mo)、鈦(Titanium,Ti)、鎳(Nickel,Ni)、鋁(Aluminum,Al)、金(Gold,Au)或銀(Silver,Ag),但不限于上述的金屬。
每一第一子模塊及第二子模塊還包括一正電極及一負電極,正電極形成于每一第一子模塊的第一太陽能電池的第二導電層及第二子模塊的第一太陽能電池的第二導電層,負電極形成于每一第一子模塊的最后的太陽能電池的第二導電層及第二子模塊的最后的太陽能電池的第二導電層。第一子模塊及第二子模塊的正電極相互電性連接,第一子模塊及第二子模塊的負電極相互電性連接。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





